半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110410437.9

申请日：

2011-12-12

公开(公告)号：

CN103165426B

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

王新鹏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-19	公开	公开
2015-09-09	授权	授权
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494126603 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011104104379 申请日:20111212

共 50 条

[1]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN105575901A ,2016-05-11

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

胡华勇 ;

单朝杰 .

中国专利 :CN102646573B ,2012-08-22

[3]

半导体器件的制作方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN102097382B ,2011-06-15

[4]

半导体器件的制作方法 [P].

朱普磊 ;

陈枫 ;

蒋莉 ;

黎铭琦 ;

曹均助 .

中国专利 :CN103094209A ,2013-05-08

[5]

半导体器件制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 ;

戴韫青 ;

王剑 .

中国专利 :CN102339790A ,2012-02-01

[6]

半导体器件制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 ;

戴韫青 ;

王剑 .

中国专利 :CN102339792A ,2012-02-01

[7]

一种半导体器件及其制作方法 [P].

蒋运涛 .

中国专利 :CN105633070A ,2016-06-01

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969271A ,2013-03-13

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969272A ,2013-03-13

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