半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110333222.1

申请日：

2011-10-28

公开(公告)号：

CN103094209A

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

朱普磊陈枫蒋莉黎铭琦曹均助

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	授权	授权
2013-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

制作半导体器件的方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 ;

朱普磊 ;

曹均助 .

中国专利 :CN103094210B ,2013-05-08

[2]

半导体器件的制作方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN103165426B ,2013-06-19

[3]

半导体器件的制作方法 [P].

梁海慧 ;

刘佳磊 .

中国专利 :CN105336690A ,2016-02-17

[4]

半导体器件制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 ;

戴韫青 ;

王剑 .

中国专利 :CN102339790A ,2012-02-01

[5]

半导体器件制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 ;

戴韫青 ;

王剑 .

中国专利 :CN102339792A ,2012-02-01

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

张春艳 ;

孙鹏 ;

李恒甫 ;

包焓 ;

曹立强 .

中国专利 :CN110690164A ,2020-01-14

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969271A ,2013-03-13

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969272A ,2013-03-13

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

胡华勇 ;

单朝杰 .

中国专利 :CN102646573B ,2012-08-22

← 1 2 3 4 5 →