制作半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110333935.8

申请日：

2011-10-28

公开(公告)号：

CN103094210B

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

蒋莉黎铭琦朱普磊曹均助

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	授权	授权
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101468533930 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011103339358 申请日:20111028
2013-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制作方法 [P].

朱普磊 ;

陈枫 ;

蒋莉 ;

黎铭琦 ;

曹均助 .

中国专利 :CN103094209A ,2013-05-08

[2]

半导体器件的制作方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN103165426B ,2013-06-19

[3]

制作半导体器件的方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 ;

朱普磊 ;

曹均助 .

中国专利 :CN103094082A ,2013-05-08

[4]

制作半导体器件的方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103177944B ,2013-06-26

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

倪景华 ;

李凤莲 .

中国专利 :CN103094211B ,2013-05-08

[6]

一种制作半导体器件的方法 [P].

任红茹 ;

何学缅 .

中国专利 :CN104576341A ,2015-04-29

[7]

半导体器件制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 ;

戴韫青 ;

王剑 .

中国专利 :CN102339790A ,2012-02-01

[8]

半导体器件制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 ;

戴韫青 ;

王剑 .

中国专利 :CN102339792A ,2012-02-01

[9]

制作半导体器件的方法 [P].

张传宝 ;

庄敏 ;

唐建新 ;

张斌 .

中国专利 :CN102738062B ,2012-10-17

[10]

制作半导体器件的方法 [P].

齐野敢太 .

中国专利 :CN100454517C ,2006-08-16

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