制作半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110428311.4

申请日：

2011-12-20

公开(公告)号：

CN103177944B

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-26	公开	公开
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101497330411 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011104283114 申请日:20111220
2015-12-16	授权	授权

共 50 条

[1]

制作半导体器件的方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103187253A ,2013-07-03

[2]

一种半导体器件以及制作半导体器件的方法 [P].

平延磊 ;

周鸣 .

中国专利 :CN103531470B ,2014-01-22

[3]

制作半导体器件的方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 ;

朱普磊 ;

曹均助 .

中国专利 :CN103094210B ,2013-05-08

[4]

半导体器件的制作方法 [P].

朱普磊 ;

陈枫 ;

蒋莉 ;

黎铭琦 ;

曹均助 .

中国专利 :CN103094209A ,2013-05-08

[5]

制作半导体器件的方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 ;

朱普磊 ;

曹均助 .

中国专利 :CN103094082A ,2013-05-08

[6]

制作半导体器件的方法 [P].

张传宝 ;

庄敏 ;

唐建新 ;

张斌 .

中国专利 :CN102738062B ,2012-10-17

[7]

制作半导体器件的方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN103094214A ,2013-05-08

[8]

制作半导体器件的方法 [P].

齐野敢太 .

中国专利 :CN100454517C ,2006-08-16

[9]

制作半导体器件的方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103094110B ,2013-05-08

[10]

制作半导体器件的方法 [P].

王冬江 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103165436B ,2013-06-19

← 1 2 3 4 5 →