半导体器件的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910199649.X
申请日
2009-11-26
公开(公告)号
CN102082127A
公开(公告)日
2011-06-01
发明(设计)人
唐兆云 何有丰
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L218238
IPC分类号
H01L21336 H01L2128
代理机构
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人
王一斌;王琦
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制作方法 [P]. 
宁先捷 .
中国专利 :CN102097382B ,2011-06-15
[2]
一种半导体器件的制作方法 [P]. 
李敏 .
中国专利 :CN107437547B ,2017-12-05
[3]
一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN110310893A ,2019-10-08
[4]
半导体器件的制作方法 [P]. 
潘周君 .
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[5]
半导体器件的制作方法 [P]. 
顾靖 .
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[6]
半导体器件的制作方法 [P]. 
王新鹏 .
中国专利 :CN103165426B ,2013-06-19
[7]
半导体器件的制作方法 [P]. 
刘兵武 .
中国专利 :CN101996949B ,2011-03-30
[8]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
张志成 ;
漆文龙 ;
周岐 ;
区树雄 ;
张建华 ;
张富强 ;
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中国专利 :CN118431227A ,2024-08-02
[9]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
黄晨 ;
蔡孟峯 .
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[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
杨勇胜 ;
陈乐乐 .
中国专利 :CN104752220A ,2015-07-01