半导体器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310753947.5
申请日
2013-12-31
公开(公告)号
CN104752220A
公开(公告)日
2015-07-01
发明(设计)人
杨勇胜 陈乐乐
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L21762 H01L21265 H01L2978
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
吴贵明;张永明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
胡华勇 ;
单朝杰 .
中国专利 :CN102646573B ,2012-08-22
[2]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
黄晨 ;
蔡孟峯 .
中国专利 :CN114141641A ,2022-03-04
[3]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
苏炳熏 ;
杨展悌 ;
叶甜春 ;
罗军 ;
赵杰 ;
薛静 .
中国专利 :CN113594161B ,2024-08-23
[4]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
苏炳熏 ;
杨展悌 ;
叶甜春 ;
罗军 ;
赵杰 ;
薛静 .
中国专利 :CN113594161A ,2021-11-02
[5]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
黄晨 ;
蔡孟峯 .
中国专利 :CN114141641B ,2025-01-10
[6]
半导体器件的制作方法 [P]. 
刘兵武 .
中国专利 :CN101996949B ,2011-03-30
[7]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
宋化龙 .
中国专利 :CN104952785A ,2015-09-30
[8]
半导体器件的制作方法 [P]. 
潘周君 .
中国专利 :CN104752310A ,2015-07-01
[9]
半导体器件的制作方法 [P]. 
顾靖 .
中国专利 :CN102347268B ,2012-02-08
[10]
半导体器件的制作方法 [P]. 
唐兆云 ;
何有丰 .
中国专利 :CN102082127A ,2011-06-01