减薄栅极氧化层的方法及MOS器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510367220.2

申请日：

2015-06-26

公开(公告)号：

CN106298504A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

赵连国彭坤

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L2132 H01L21336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

赵囡囡;吴贵明

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/311 申请公布日:20170104
2017-01-04	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700842083 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2015103672202 申请日:20150626

共 50 条

[1]

栅极侧壁层的制作方法及MOS器件的制作方法 [P].

王海莲 ;

彭坤 ;

赵晓燕 .

中国专利 :CN104952723A ,2015-09-30

[2]

栅极氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105448686A ,2016-03-30

[3]

MOS器件栅极孔的制作方法 [P].

张景超 ;

吴迪 ;

林茂 ;

戚丽娜 ;

刘利峰 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN102522328B ,2012-06-27

[4]

一种栅极氧化层的制作方法 [P].

张超然 ;

李赟 ;

周俊 .

中国专利 :CN108257860A ,2018-07-06

[5]

栅极氧化层制作方法 [P].

陈晓波 .

中国专利 :CN101202220A ,2008-06-18

[6]

含氮栅极氧化层的制作方法 [P].

张红伟 .

中国专利 :CN103972071A ,2014-08-06

[7]

MOS器件的制作方法 [P].

禹国宾 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102543743A ,2012-07-04

[8]

MOS器件的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN104465385A ,2015-03-25

[9]

栅氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法 [P].

虞肖鹏 ;

张复雄 .

中国专利 :CN101271840A ,2008-09-24

[10]

改善栅极氧化层的方法及半导体器件的制造方法 [P].

康俊龙 .

中国专利 :CN110473780A ,2019-11-19

← 1 2 3 4 5 →