MOS器件栅极孔的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110457512.7

申请日：

2011-12-30

公开(公告)号：

CN102522328B

公开(公告)日：

2012-06-27

发明(设计)人：

张景超吴迪林茂戚丽娜刘利峰赵善麒

申请人：

申请人地址：

213022 江苏省常州市新北区华山中路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

常州市维益专利事务所 32211

代理人：

贾海芬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101320540337 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011104575127 申请日:20111230
2020-07-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/28 变更事项:专利权人变更前:江苏宏微科技有限公司变更后:江苏宏微科技股份有限公司变更事项:地址变更前:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号变更后:213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
2012-06-27	公开	公开
2014-01-29	授权	授权

共 50 条

[1]

栅极侧壁层的制作方法及MOS器件的制作方法 [P].

王海莲 ;

彭坤 ;

赵晓燕 .

中国专利 :CN104952723A ,2015-09-30

[2]

MOS器件的制作方法 [P].

禹国宾 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102543743A ,2012-07-04

[3]

MOS器件的制作方法 [P].

颜树范 ;

刘须电 .

中国专利 :CN115172170B ,2025-10-28

[4]

具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构及其制作方法 [P].

吴宗宪 ;

陈彦豪 .

中国专利 :CN110739346A ,2020-01-31

[5]

减薄栅极氧化层的方法及MOS器件的制作方法 [P].

赵连国 ;

彭坤 .

中国专利 :CN106298504A ,2017-01-04

[6]

半导体器件栅极的制作方法 [P].

居建华 .

中国专利 :CN101770944A ,2010-07-07

[7]

用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法 [P].

王文武 ;

陈世杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101599436A ,2009-12-09

[8]

沟槽栅MOS功率器件及其栅极制作方法 [P].

姚尧 ;

罗海辉 ;

肖强 ;

何逸涛 ;

刘葳 ;

罗湘 .

中国专利 :CN111403476A ,2020-07-10

[9]

MOS器件的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN104465385A ,2015-03-25

[10]

MOS器件的制作方法 [P].

吴振华 ;

郭鸿 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN109712892B ,2019-05-03

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