用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910303980.1

申请日：

2009-07-03

公开(公告)号：

CN101599436A

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

王文武陈世杰陈大鹏

申请人：

申请人地址：

100029北京市北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21283 H01L2978 H01L2949

代理机构：

北京市德权律师事务所

代理人：

王建国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-09	公开	公开
2012-07-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101411329878 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009103039801 公开日:20091209

共 50 条

[1]

金属栅极结构及其制作方法 [P].

杨建伦 ;

许启茂 ;

吴俊元 ;

郑子铭 ;

邹世芳 ;

林进富 ;

黄信富 ;

蔡旻錞 .

中国专利 :CN102683397A ,2012-09-19

[2]

MOS器件及其制作方法 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN120456581A ,2025-08-08

[3]

MOS器件及其制作方法 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN120456581B ,2025-09-23

[4]

MOS器件栅极孔的制作方法 [P].

张景超 ;

吴迪 ;

林茂 ;

戚丽娜 ;

刘利峰 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN102522328B ,2012-06-27

[5]

金属栅极结构及其制作方法 [P].

郑存闵 ;

何念葶 ;

陈健豪 ;

张净云 ;

黄信富 ;

蔡旻錞 ;

孙启原 ;

许启茂 .

中国专利 :CN104425575A ,2015-03-18

[6]

CMOS器件金属栅极及其形成方法 [P].

王文武 ;

陈世杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101494236A ,2009-07-29

[7]

金属栅极结构的制作方法 [P].

林静龄 ;

黄志森 ;

邹世芳 ;

林建廷 ;

陈意维 ;

林世雄 ;

陈俊隆 ;

廖琨垣 ;

张峰溢 ;

周孝邦 ;

吕佳霖 .

中国专利 :CN105280486A ,2016-01-27

[8]

栅极侧壁层的制作方法及MOS器件的制作方法 [P].

王海莲 ;

彭坤 ;

赵晓燕 .

中国专利 :CN104952723A ,2015-09-30

[9]

栅极堆叠结构的制作方法 [P].

何德彦 .

中国专利 :CN119008393A ,2024-11-22

[10]

MOS器件及其制作方法、CMOS器件的制作方法 [P].

李凤莲 ;

韩秋华 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103578989A ,2014-02-12

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