金属栅极结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110063912.X

申请日：

2011-03-17

公开(公告)号：

CN102683397A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

杨建伦许启茂吴俊元郑子铭邹世芳林进富黄信富蔡旻錞

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	授权	授权
2012-09-19	公开	公开
2018-04-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20110317 授权公告日:20160406 终止日期:20170317
2013-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101548932373 IPC(主分类):H01L 29/49 专利申请号:201110063912X 申请日:20110317

共 50 条

[1]

金属栅极结构及其制作方法 [P].

郑存闵 ;

何念葶 ;

陈健豪 ;

张净云 ;

黄信富 ;

蔡旻錞 ;

孙启原 ;

许启茂 .

中国专利 :CN104425575A ,2015-03-18

[2]

栅极结构及其制作方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN104979177B ,2015-10-14

[3]

用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法 [P].

王文武 ;

陈世杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101599436A ,2009-12-09

[4]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

傅思逸 ;

江文泰 ;

陈映璁 ;

蔡世鸿 ;

林建廷 ;

许启茂 ;

林进富 .

中国专利 :CN103187367A ,2013-07-03

[5]

金属栅极结构 [P].

林坤贤 ;

黄信富 ;

李宗颖 ;

蔡旻錞 ;

许启茂 ;

林进富 .

中国专利 :CN102760758A ,2012-10-31

[6]

栅极堆叠结构及其制作方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102386217B ,2012-03-21

[7]

栅极制作方法 [P].

郑志祥 .

中国专利 :CN101192528A ,2008-06-04

[8]

金属栅极的制作方法 [P].

王韶韦 ;

王俞仁 ;

林建良 ;

邓文仪 ;

吕佐文 ;

陈致中 ;

颜英伟 ;

林钰闵 ;

简金城 ;

陈哲明 ;

徐俊伟 ;

张家隆 ;

吴宜静 ;

詹书俨 .

中国专利 :CN102842491A ,2012-12-26

[9]

金属栅极结构与其制作方法 [P].

林世雄 ;

陈俊隆 ;

廖琨垣 ;

张峰溢 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN105244370A ,2016-01-13

[10]

金属栅极结构的制作方法 [P].

林静龄 ;

黄志森 ;

邹世芳 ;

林建廷 ;

陈意维 ;

林世雄 ;

陈俊隆 ;

廖琨垣 ;

张峰溢 ;

周孝邦 ;

吕佳霖 .

中国专利 :CN105280486A ,2016-01-27

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