金属栅极的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110172535.3

申请日：

2011-06-24

公开(公告)号：

CN102842491A

公开(公告)日：

2012-12-26

发明(设计)人：

王韶韦王俞仁林建良邓文仪吕佐文陈致中颜英伟林钰闵简金城陈哲明徐俊伟张家隆吴宜静詹书俨

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583198074 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011101725353 申请日:20110624
2016-10-19	授权	授权
2012-12-26	公开	公开

共 50 条

[1]

金属栅极制作方法 [P].

周鸣 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103681273A ,2014-03-26

[2]

金属栅极结构及其制作方法 [P].

郑存闵 ;

何念葶 ;

陈健豪 ;

张净云 ;

黄信富 ;

蔡旻錞 ;

孙启原 ;

许启茂 .

中国专利 :CN104425575A ,2015-03-18

[3]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

王俞仁 ;

孙德霖 ;

赖思豪 ;

陈柏均 ;

林志勋 ;

蔡哲男 ;

林君玲 ;

叶秋显 .

中国专利 :CN102956460B ,2013-03-06

[4]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

傅思逸 ;

江文泰 ;

陈映璁 ;

蔡世鸿 ;

林建廷 ;

许启茂 ;

林进富 .

中国专利 :CN103187367A ,2013-07-03

[5]

具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 [P].

林昭宏 ;

许智凯 ;

冯立伟 ;

蔡世鸿 ;

林建廷 ;

郑志祥 ;

洪庆文 ;

吴家荣 ;

李怡慧 ;

刘盈成 ;

吴奕宽 ;

黄志森 ;

陈意维 .

中国专利 :CN106409830A ,2017-02-15

[6]

具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 [P].

廖柏瑞 ;

蔡宗龙 ;

林建廷 ;

徐韶华 ;

王彦鹏 ;

林俊贤 ;

杨建伦 ;

黄光耀 ;

陈信琦 ;

施宏霖 ;

廖俊雄 ;

梁佳文 .

中国专利 :CN102856255B ,2013-01-02

[7]

具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 [P].

吕佳霖 ;

陈俊隆 ;

廖琨垣 ;

张峰溢 .

中国专利 :CN105470200A ,2016-04-06

[8]

一种金属栅极制作方法 [P].

何佳伟 ;

戴秋贇 ;

俞新杰 .

中国专利 :CN119069343A ,2024-12-03

[9]

金属栅极电极及其制作方法 [P].

V·S·巴斯克尔 ;

H·迪利吉安尼 ;

R·杰米 ;

V·K·帕鲁丘里 ;

L·T·罗曼基乌 .

中国专利 :CN101488520A ,2009-07-22

[10]

金属栅极结构及其制作方法 [P].

杨建伦 ;

许启茂 ;

吴俊元 ;

郑子铭 ;

邹世芳 ;

林进富 ;

黄信富 ;

蔡旻錞 .

中国专利 :CN102683397A ,2012-09-19

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