金属栅极结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110104782.X
申请日
2011-04-26
公开(公告)号
CN102760758A
公开(公告)日
2012-10-31
发明(设计)人
林坤贤 黄信富 李宗颖 蔡旻錞 许启茂 林进富
申请人
申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号
H01L2949
IPC分类号
H01L2951
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
彭久云
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
金属栅极结构及其制作方法 [P]. 
杨建伦 ;
许启茂 ;
吴俊元 ;
郑子铭 ;
邹世芳 ;
林进富 ;
黄信富 ;
蔡旻錞 .
中国专利 :CN102683397A ,2012-09-19
[2]
金属栅极结构及其形成方法 [P]. 
赛沙德利·甘古利 ;
柳尚澔 ;
李相协 ;
哈阳成 ;
李维迪 ;
金勋 ;
斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ;
雷雨 ;
凯文·莫雷斯 ;
唐先民 .
中国专利 :CN102959710B ,2013-03-06
[3]
金属栅极结构的制造方法 [P]. 
鲍宇 .
中国专利 :CN109065445B ,2018-12-21
[4]
金属栅极结构及其制造方法 [P]. 
杨玉如 ;
李宗颖 ;
林进富 ;
许启茂 .
中国专利 :CN102237270A ,2011-11-09
[5]
金属栅极形成方法 [P]. 
雷通 .
中国专利 :CN105047613A ,2015-11-11
[6]
金属栅极结构及其制作方法 [P]. 
郑存闵 ;
何念葶 ;
陈健豪 ;
张净云 ;
黄信富 ;
蔡旻錞 ;
孙启原 ;
许启茂 .
中国专利 :CN104425575A ,2015-03-18
[7]
金属栅极结构及其工艺 [P]. 
郑存闵 ;
蔡旻錞 ;
刘志建 ;
林仁杰 ;
李姵莹 ;
王韶韦 ;
林茂森 ;
林静龄 .
中国专利 :CN102983156A ,2013-03-20
[8]
具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P]. 
傅思逸 ;
江文泰 ;
陈映璁 ;
蔡世鸿 ;
林建廷 ;
许启茂 ;
林进富 .
中国专利 :CN103187367A ,2013-07-03
[9]
金属栅极结构及其制备方法 [P]. 
鲍宇 .
中国专利 :CN106340452A ,2017-01-18
[10]
金属栅极结构及其制造方法 [P]. 
杨明仑 .
中国专利 :CN109979994A ,2019-07-05