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半导体结构及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310968647.2
申请日：
2023-08-02
公开(公告)号：
CN119451089B
公开(公告)日：
2025-10-14
发明(设计)人：
朱洪雷 邹贤 熊少游
申请人：
长鑫科技集团股份有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230802
2025-02-14 公开 公开
2025-10-14 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
朱洪雷 ;
邹贤 ;
熊少游 .
中国专利 :CN119451089A ,2025-02-14
[2]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
王沛萌 ;
郗宁 .
中国专利 :CN119381340B ,2025-09-26
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
王沛萌 ;
郗宁 .
中国专利 :CN119381340A ,2025-01-28
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
许文涛 ;
张林涛 ;
杨蕾 ;
李浩然 .
中国专利 :CN118073273A ,2024-05-24
[5]
半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P]. 
孙正庆 ;
金星 .
中国专利 :CN114256133B ,2024-09-20
[6]
半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P]. 
孙正庆 ;
金星 .
中国专利 :CN114256133A ,2022-03-29
[7]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN120224682A ,2025-06-27
[8]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
郑玉宏 ;
王晓光 ;
徐汉东 .
中国专利 :CN117835796A ,2024-04-05
[9]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
张明权 ;
覃筱茜 ;
陈小强 ;
李镇全 .
中国专利 :CN121126807A ,2025-12-12
[10]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
徐叶龙 ;
孟怀宇 ;
沈亦晨 .
中国专利 :CN118732151A ,2024-10-01
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