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平面キャパシタを使用する低損失進行波パラメトリックデバイス[ja]
被引:0
申请号
:
JP20250514163
申请日
:
2023-09-05
公开(公告)号
:
JP2025531094A
公开(公告)日
:
2025-09-19
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10N60/12
IPC分类号
:
H03F7/00
H10N60/01
H10N69/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
メモリデバイス及びメモリデバイスを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023510877A
,2023-03-15
[2]
ワイドバンドギャップを有する半導体材料で作られた層のスタックを含むキャパシタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2024510144A
,2024-03-06
[3]
マイクロ電子デバイスを形成する方法、並びに関連するマイクロ電子デバイス、メモリデバイス、及び電子システム[ja]
[P].
日本专利
:JP2024545632A
,2024-12-10
[4]
マイクロ電子デバイスを形成する方法並びに関連するマイクロ電子デバイス、メモリデバイス、及び電子システム[ja]
[P].
日本专利
:JP2022551951A
,2022-12-14
[5]
低減されたブロッキング層損傷を有する3次元メモリデバイスワード線[ja]
[P].
日本专利
:JP2025534096A
,2025-10-09
[6]
基板損失の少ない内蔵スパイラルインダクタの作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021536679A
,2021-12-27
[7]
3Dメモリデバイス及び3Dメモリデバイスを形成するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022501828A
,2022-01-06
[8]
ワイドバンドギャップ半導体デバイス上にオーミックコンタクトを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024517079A
,2024-04-19
[9]
キャパシタ材料を有する溝部を備えるエネルギ貯蔵装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2022502854A
,2022-01-11
[10]
一方向のプレートライン及びビットライン並びにピラーキャパシタを有する高密度低電圧NVM[ja]
[P].
日本专利
:JP2025172060A
,2025-11-20
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