基于4H-SiC的偏振复用超透镜及其设计方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310717364.0

申请日：

2023-06-16

公开(公告)号：

CN116736416B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

王文艳吴爽郭思彤崔艳霞李国辉冀婷

申请人：

太原理工大学

申请人地址：

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

IPC主分类号：

G02B3/00

IPC分类号：

G02B1/00 G02B5/30 G02B27/00

代理机构：

太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110

代理人：

任林芳;赵江艳

法律状态：

授权

国省代码：

山西省晋中市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

基于粒子群算法的宽带消色差偏振复用超透镜设计 [P].

肖功利 ;

张家荣 ;

杨宏艳 ;

陈赞辉 ;

刘兴鹏 ;

王阳培华 ;

孙堂友 ;

李海鸥 .

中国专利 :CN118192076A ,2024-06-14

[2]

3300V的4H-SiC MOSFET设计方法 [P].

吴江枫 ;

李思思 ;

王翠霞 ;

余有灵 ;

李诚瞻 .

中国专利 :CN111261697B ,2025-10-03

[3]

3300V的4H-SiC MOSFET设计方法 [P].

吴江枫 ;

李思思 ;

王翠霞 ;

余有灵 ;

李诚瞻 .

中国专利 :CN111261697A ,2020-06-09

[4]

一种基于偏振复用型超透镜组的光束扫描系统及其设计方法 [P].

张浩楠 ;

郑国兴 ;

李子乐 .

中国专利 :CN119335730B ,2025-09-05

[5]

一种基于偏振复用型超透镜组的光束扫描系统及其设计方法 [P].

张浩楠 ;

郑国兴 ;

李子乐 .

中国专利 :CN119335730A ,2025-01-21

[6]

基于空间复用的多偏振态多功能超构透镜及其制作方法 [P].

周倩 ;

倪凯 ;

闫兵 ;

陆海鸥 ;

廖俊潺 .

中国专利 :CN114200669A ,2022-03-18

[7]

单晶4H-SiC衬底及其制造方法 [P].

大野彰仁 ;

川津善平 ;

富田信之 ;

田中贵规 ;

三谷阳一郎 ;

浜野健一 .

中国专利 :CN104078331A ,2014-10-01

[8]

4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 [P].

刘斌 ;

孙国胜 ;

刘兴昉 ;

董林 ;

郑柳 ;

闫果果 ;

刘胜北 ;

张峰 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

曾一平 .

中国专利 :CN103820768A ,2014-05-28

[9]

一种4H-SiC及其超快速的制备方法和应用 [P].

左飞 ;

巫润东 ;

邓亚宁 ;

詹林翰 ;

林华泰 .

中国专利 :CN118146001B ,2025-11-07

[10]

一种4H-SiC及其超快速的制备方法和应用 [P].

左飞 ;

巫润东 ;

邓亚宁 ;

詹林翰 ;

林华泰 .

中国专利 :CN118146001A ,2024-06-07

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