一种4H-SiC及其超快速的制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410272671.7

申请日：

2024-03-11

公开(公告)号：

CN118146001A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

左飞巫润东邓亚宁詹林翰林华泰

申请人：

广东工业大学

申请人地址：

510090 广东省广州市越秀区东风东路729号

IPC主分类号：

C04B35/565

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/64

代理机构：

北京精金石知识产权代理有限公司 11470

代理人：

尉月丽

法律状态：

公开

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	公开	公开
2025-11-07	授权	授权
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/565申请日:20240311

共 50 条

[1]

一种4H-SiC及其超快速的制备方法和应用 [P].

左飞 ;

巫润东 ;

邓亚宁 ;

詹林翰 ;

林华泰 .

中国专利 :CN118146001B ,2025-11-07

[2]

4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 [P].

刘斌 ;

孙国胜 ;

刘兴昉 ;

董林 ;

郑柳 ;

闫果果 ;

刘胜北 ;

张峰 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

曾一平 .

中国专利 :CN103820768A ,2014-05-28

[3]

基于4H-SiC的偏振复用超透镜及其设计方法 [P].

王文艳 ;

吴爽 ;

郭思彤 ;

崔艳霞 ;

李国辉 ;

冀婷 .

中国专利 :CN116736416B ,2025-10-03

[4]

单晶4H-SiC衬底及其制造方法 [P].

大野彰仁 ;

川津善平 ;

富田信之 ;

田中贵规 ;

三谷阳一郎 ;

浜野健一 .

中国专利 :CN104078331A ,2014-10-01

[5]

4H-SiC在制备高压压砧中的应用 [P].

王霖 ;

张金波 .

中国专利 :CN108760633A ,2018-11-06

[6]

4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

朱会丽 ;

陈厦平 .

中国专利 :CN100463232C ,2007-06-27

[7]

一种4H-SiC基超结功率MOSFET器件 [P].

谢速 .

中国专利 :CN217788402U ,2022-11-11

[8]

一种4H-SiC基超结功率MOSFET结构 [P].

谢速 .

中国专利 :CN217788400U ,2022-11-11

[9]

一种透明4H-SiC纳米孔阵列的制备方法 [P].

杨为佑 ;

赵连富 ;

陈善亮 ;

史新俊 .

中国专利 :CN108251888B ,2018-07-06

[10]

一种4H-SiC COMS紫外反相器及其制备方法 [P].

杜丰羽 ;

韩超 ;

周瑜 ;

袁昊 .

中国专利 :CN117334766A ,2024-01-02

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