4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610135353.8

申请日：

2006-12-20

公开(公告)号：

CN100463232C

公开(公告)日：

2007-06-27

发明(设计)人：

吴正云朱会丽陈厦平

申请人：

申请人地址：

361005福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

厦门南强之路专利事务所

代理人：

马应森

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-18	授权	授权
2007-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-02-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101701558614 IPC(主分类):H01L 31/107 专利号:ZL2006101353538 申请日:20061220 授权公告日:20090218 终止日期:20151220
2007-06-27	公开	公开

共 50 条

[1]

4H－SiC雪崩光电探测器 [P].

吴正云 ;

朱会丽 ;

陈厦平 .

中国专利 :CN201000897Y ,2008-01-02

[2]

一种4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

陆海 ;

周炎 ;

李天义 ;

周东 ;

张荣 .

中国专利 :CN118693179A ,2024-09-24

[3]

一种4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

陆海 ;

周炎 ;

李天义 ;

周东 ;

张荣 .

中国专利 :CN118693179B ,2024-12-24

[4]

双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P].

洪荣墩 ;

张明昆 ;

吴正云 ;

蔡加法 ;

陈厦平 .

中国专利 :CN105304748A ,2016-02-03

[5]

δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

陈厦平 ;

朱会丽 ;

卢嵩岳 ;

李凌 .

中国专利 :CN100438083C ,2007-07-18

[6]

一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

朱会丽 ;

陈厦平 ;

张峰 .

中国专利 :CN101030609A ,2007-09-05

[7]

雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

胡晓 ;

陈代高 ;

张宇光 ;

王磊 ;

肖希 .

中国专利 :CN114256375A ,2022-03-29

[8]

雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

杨晓红 ;

王睿 ;

唐永升 ;

刘一君 ;

何雨航 ;

王硕 .

中国专利 :CN118472090A ,2024-08-09

[9]

雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

刘巧莉 ;

高麦伦 ;

张炜 ;

李少斌 ;

李凯凯 ;

胡安琪 ;

郭霞 .

中国专利 :CN119364880B ,2025-04-01

[10]

雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

卫家奇 ;

郑婉华 ;

曹澎 ;

彭红玲 ;

宋春旭 .

中国专利 :CN119855259A ,2025-04-18

← 1 2 3 4 5 →