4H－SiC雪崩光电探测器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200620156550.3

申请日：

2006-12-20

公开(公告)号：

CN201000897Y

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

吴正云朱会丽陈厦平

申请人：

申请人地址：

361005福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

厦门南强之路专利事务所

代理人：

马应森

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	授权	授权
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597924315 IPC(主分类):H01L 31/107 专利号:ZL2006201565503 申请日:20061220 授权公告日:20080102 终止日期:20131220

共 50 条

[1]

4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

朱会丽 ;

陈厦平 .

中国专利 :CN100463232C ,2007-06-27

[2]

一种4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

陆海 ;

周炎 ;

李天义 ;

周东 ;

张荣 .

中国专利 :CN118693179A ,2024-09-24

[3]

一种4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

陆海 ;

周炎 ;

李天义 ;

周东 ;

张荣 .

中国专利 :CN118693179B ,2024-12-24

[4]

雪崩光电探测器 [P].

郑纪元 ;

刘北辰 ;

汪莱 ;

罗毅 .

中国专利 :CN120813072A ,2025-10-17

[5]

一种Sic雪崩光电探测器 [P].

陆海 ;

周东 ;

唐起 .

中国专利 :CN212203708U ,2020-12-22

[6]

一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

朱会丽 ;

陈厦平 ;

张峰 .

中国专利 :CN101030609A ,2007-09-05

[7]

一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H-SiC雪崩光电探测器 [P].

周东 ;

陆海 ;

徐尉宗 ;

任芳芳 ;

周峰 .

中国专利 :CN115295661B ,2025-03-04

[8]

δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

陈厦平 ;

朱会丽 ;

卢嵩岳 ;

李凌 .

中国专利 :CN100438083C ,2007-07-18

[9]

一种紫外雪崩光电探测器 [P].

张有润 ;

袁福润 ;

刘影 ;

章志海 ;

张波 .

中国专利 :CN105655437A ,2016-06-08

[10]

双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P].

洪荣墩 ;

张明昆 ;

吴正云 ;

蔡加法 ;

陈厦平 .

中国专利 :CN105304748A ,2016-02-03

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