一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710008793.1

申请日：

2007-04-04

公开(公告)号：

CN101030609A

公开(公告)日：

2007-09-05

发明(设计)人：

吴正云朱会丽陈厦平张峰

申请人：

申请人地址：

361005福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

厦门南强之路专利事务所

代理人：

马应森

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-05	公开	公开
2009-07-15	授权	授权
2007-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-05-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101610750140 IPC(主分类):H01L 31/107 专利号:ZL2007100087931 申请日:20070404 授权公告日:20090715 终止日期:20140404

共 50 条

[1]

δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

陈厦平 ;

朱会丽 ;

卢嵩岳 ;

李凌 .

中国专利 :CN100438083C ,2007-07-18

[2]

4H－SiC雪崩光电探测器 [P].

吴正云 ;

朱会丽 ;

陈厦平 .

中国专利 :CN201000897Y ,2008-01-02

[3]

一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备方法 [P].

林鼎渠 ;

吴正云 ;

洪荣墩 ;

孙存志 ;

张志威 .

中国专利 :CN108231953B ,2018-06-29

[4]

一种PIN结构4H－SiC紫外光电探测器 [P].

卢嵩岳 ;

吴正云 ;

李凌 ;

陈厦平 ;

朱会丽 .

中国专利 :CN201032635Y ,2008-03-05

[5]

一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

朱石磊 ;

李国辉 ;

潘登 ;

田媛 .

中国专利 :CN115000207B ,2024-05-31

[6]

一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

朱石磊 ;

李国辉 ;

潘登 ;

田媛 .

中国专利 :CN115000207A ,2022-09-02

[7]

4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

朱会丽 ;

陈厦平 .

中国专利 :CN100463232C ,2007-06-27

[8]

具有球冠结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备方法 [P].

洪荣墩 ;

吴俊慷 ;

吴正云 .

中国专利 :CN108400197A ,2018-08-14

[9]

一种4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

陆海 ;

周炎 ;

李天义 ;

周东 ;

张荣 .

中国专利 :CN118693179A ,2024-09-24

[10]

一种4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法 [P].

陆海 ;

周炎 ;

李天义 ;

周东 ;

张荣 .

中国专利 :CN118693179B ,2024-12-24

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