具有球冠结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810402996.7

申请日：

2018-04-28

公开(公告)号：

CN108400197A

公开(公告)日：

2018-08-14

发明(设计)人：

洪荣墩吴俊慷吴正云

申请人：

申请人地址：

361005 福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L31105

IPC分类号：

H01L310312 H01L3118

代理机构：

厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200

代理人：

马应森

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-14	公开	公开
2020-03-17	授权	授权
2018-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/105 申请日:20180428

共 50 条

[1]

δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

陈厦平 ;

朱会丽 ;

卢嵩岳 ;

李凌 .

中国专利 :CN100438083C ,2007-07-18

[2]

具有刻蚀微孔结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备 [P].

张峰 ;

付钊 ;

洪荣墩 ;

蔡加法 ;

陈厦平 ;

林鼎渠 ;

吴少雄 ;

吴正云 .

中国专利 :CN112117337A ,2020-12-22

[3]

双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法 [P].

洪荣墩 ;

张明昆 ;

吴正云 ;

蔡加法 ;

陈厦平 .

中国专利 :CN105304748A ,2016-02-03

[4]

背照式结构的4H-SiC紫外光电探测器阵列及制备 [P].

付钊 ;

张峰 ;

洪荣墩 ;

蔡加法 ;

陈厦平 ;

林鼎渠 ;

吴少雄 ;

吴正云 .

中国专利 :CN112117336B ,2020-12-22

[5]

一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备方法 [P].

林鼎渠 ;

吴正云 ;

洪荣墩 ;

孙存志 ;

张志威 .

中国专利 :CN108231953B ,2018-06-29

[6]

一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

朱石磊 ;

李国辉 ;

潘登 ;

田媛 .

中国专利 :CN115000207B ,2024-05-31

[7]

一种4H-SiC窄带紫外光电探测器 [P].

崔艳霞 ;

胡鲲 ;

朱石磊 ;

李国辉 ;

潘登 ;

田媛 .

中国专利 :CN115000207A ,2022-09-02

[8]

一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法 [P].

吴正云 ;

朱会丽 ;

陈厦平 ;

张峰 .

中国专利 :CN101030609A ,2007-09-05

[9]

一种MSM结构4H-SiC紫外光电探测器的制备工艺 [P].

马文超 .

中国专利 :CN104701408A ,2015-06-10

[10]

一种PIN结构4H－SiC紫外光电探测器 [P].

卢嵩岳 ;

吴正云 ;

李凌 ;

陈厦平 ;

朱会丽 .

中国专利 :CN201032635Y ,2008-03-05

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