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一种高性能氧化铝陶瓷基片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510977228.4
申请日：
2025-07-16
公开(公告)号：
CN120774697A
公开(公告)日：
2025-10-14
发明(设计)人：
周伟 徐勇 赵显萍 付丽 赵越
申请人：
成都万士达瓷业有限公司
申请人地址：
611332 四川省成都市大邑县沙渠镇蜀华路115号
IPC主分类号：
C04B35/10
IPC分类号：
C04B35/622 H05K7/20
代理机构：
成都先导云创知识产权代理事务所(普通合伙) 51321
代理人：
杨敏
法律状态：
公开
国省代码：
四川省 成都市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-14 公开 公开
2025-10-31 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/10申请日:20250716
共 50 条
[1]
一种高性能氧化铝陶瓷基片及其制备方法 [P]. 
张富启 ;
陈秋财 .
中国专利 :CN113896513B ,2022-01-07
[2]
一种氧化铝陶瓷基片及其制备方法 [P]. 
方豪杰 ;
张晓云 ;
张国秀 ;
贺亦文 ;
方美玲 ;
刘建平 ;
曾雄 .
中国专利 :CN120208648A ,2025-06-27
[3]
一种高性能氧化铝陶瓷及其制备方法 [P]. 
张伟群 ;
张利群 ;
张南泉 .
中国专利 :CN121159237A ,2025-12-19
[4]
氧化铝陶瓷基片及其制造方法 [P]. 
郑双喜 ;
陈江涛 ;
胡海涛 .
中国专利 :CN117383909A ,2024-01-12
[5]
氧化铝陶瓷基片及其制造方法 [P]. 
郑双喜 ;
陈江涛 ;
胡海涛 .
中国专利 :CN117383909B ,2025-12-26
[6]
一种96%氧化铝陶瓷基片及其制备方法 [P]. 
刘唐宋 ;
张满雲 ;
刘翔 ;
刘志军 ;
段民华 .
中国专利 :CN103626478A ,2014-03-12
[7]
氧化铝陶瓷基片及其制备方法及应用 [P]. 
胡传灯 ;
邢增凯 ;
李珊珊 .
中国专利 :CN118993708A ,2024-11-22
[8]
一种氧化铝陶瓷材料的制备方法及氧化铝陶瓷基片 [P]. 
高朋召 ;
刘小磐 ;
郑航博 ;
王垣力 .
中国专利 :CN113185268B ,2021-07-30
[9]
氧化铝陶瓷基片组 [P]. 
秦乐宁 ;
龚卫忠 ;
邓磊 ;
谢怀婷 .
中国专利 :CN202996808U ,2013-06-12
[10]
一种氧化铝陶瓷基片及其制备方法与应用 [P]. 
马艳红 ;
梁明川 .
中国专利 :CN121063924A ,2025-12-05
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