高密度重新分布互连封装结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510940291.0
申请日
2025-07-09
公开(公告)号
CN120453248B
公开(公告)日
2025-09-30
发明(设计)人
何正鸿
申请人
甬矽半导体(宁波)有限公司
申请人地址
315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园滨海大道60号
IPC主分类号
H01L23/367
IPC分类号
H01L23/31 H01L23/29 H01L21/56 H01L21/48
代理机构
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
王震
法律状态
公开
国省代码
浙江省 宁波市
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共 50 条
[1]
高密度重新分布互连封装结构及其制备方法 [P]. 
何正鸿 .
中国专利 :CN120453248A ,2025-08-08
[2]
高密度重新分布互连封装结构及其制备方法 [P]. 
何正鸿 .
中国专利 :CN118538703B ,2024-11-26
[3]
高密度重新分布互连封装结构及其制备方法 [P]. 
何正鸿 .
中国专利 :CN118538703A ,2024-08-23
[4]
重新分布互连转接封装结构及其制备方法 [P]. 
何正鸿 ;
庞宏林 ;
高源 ;
陶毅 .
中国专利 :CN118507458A ,2024-08-16
[5]
重新分布互连转接封装结构及其制备方法 [P]. 
何正鸿 ;
庞宏林 ;
高源 ;
陶毅 .
中国专利 :CN118507458B ,2024-11-05
[6]
高密度衬底封装结构及其制备方法 [P]. 
钟磊 ;
徐玉鹏 ;
何正鸿 .
中国专利 :CN121237741A ,2025-12-30
[7]
高密度芯片封装结构及其制备方法 [P]. 
徐玉鹏 ;
钟磊 ;
李利 ;
何正鸿 .
中国专利 :CN120376433B ,2025-09-30
[8]
高密度芯片封装结构及其制备方法 [P]. 
徐玉鹏 ;
钟磊 ;
李利 ;
何正鸿 .
中国专利 :CN120376433A ,2025-07-25
[9]
表面组装与元器件高密度互连封装结构 [P]. 
严俊 ;
王鹏 ;
曹辉 ;
吴宪军 ;
高健 ;
赵华 ;
宋宪辉 ;
刘红乾 ;
胡道敏 ;
周海龙 .
中国专利 :CN223566615U ,2025-11-18
[10]
高密度桥连封装方法和封装结构 [P]. 
徐玉鹏 ;
钟磊 ;
何正鸿 ;
简志宏 .
中国专利 :CN121034962A ,2025-11-28