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基于N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510901819.3
申请日：
2025-07-01
公开(公告)号：
CN120751725A
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
刘胜 张栋梁 张召富 东芳 郭宇铮 甘志银 沈威 吴改
申请人：
武汉大学
申请人地址：
430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/83 H10D62/10
代理机构：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222
代理人：
詹艺
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
湖北省 武汉市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250701
2025-10-03 公开 公开
共 50 条
[1]
基于P、N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
刘胜 ;
张栋梁 ;
郭宇铮 ;
唐飞翔 ;
刘修铭 ;
甘志文 ;
甘志银 .
中国专利 :CN120751726A ,2025-10-03
[2]
基于P型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
刘胜 ;
刘修铭 ;
张栋梁 ;
甘志文 ;
甘志银 ;
郭宇铮 ;
刘佳鑫 ;
訚彬彬 .
中国专利 :CN120812979A ,2025-10-17
[3]
基于氢终端金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
刘胜 ;
张栋梁 ;
刘修铭 ;
唐飞翔 ;
甘志文 ;
甘志银 ;
郭宇铮 .
中国专利 :CN120857554A ,2025-10-28
[4]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN119008689A ,2024-11-22
[5]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
郭炳磊 ;
葛永晖 ;
王群 ;
吕蒙普 ;
胡加辉 ;
李鹏 .
中国专利 :CN110021659A ,2019-07-16
[6]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN119008689B ,2025-03-14
[7]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN121038320A ,2025-11-28
[8]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
房育涛 ;
刘浪 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN115472671B ,2025-09-16
[9]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
房育涛 ;
刘浪 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN115472671A ,2022-12-13
[10]
高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN119947168A ,2025-05-06
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