一种高电导率铜基复合材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311716195.5

申请日：

2023-12-14

公开(公告)号：

CN117681505B

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

杨娟

申请人：

福建鑫晟铜业有限公司

申请人地址：

351000 福建省福州市鼓楼区温泉街道89号置地广场22层02室

IPC主分类号：

B32B15/04

IPC分类号：

B32B15/20 C23C16/26 C25D13/02 B32B37/00 B32B3/30 B32B33/00 H01B1/02 H01B1/04

代理机构：

福州市鼓楼区年盛知识产权代理事务所(普通合伙) 35254

代理人：

沈小红

法律状态：

授权

国省代码：

福建省福州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	授权	授权
2024-03-12	公开	公开
2024-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B32B 15/04申请日:20231214

共 50 条

[1]

一种高电导率铜基复合材料的制备方法 [P].

杨娟 .

中国专利 :CN117681505A ,2024-03-12

[2]

一种高电导率铜基复合材料的制备方法 [P].

陈东进 .

中国专利 :CN107962184A ,2018-04-27

[3]

一种高电导率铜基复合材料的制备方法 [P].

鲍瑞 ;

刘鹏 ;

易健宏 .

中国专利 :CN112458518A ,2021-03-09

[4]

同时提高铜基复合材料电导率和硬度的方法 [P].

刘慧敏 ;

党聪 ;

峰山 ;

新巴雅尔 ;

王俊 .

中国专利 :CN110205513B ,2019-09-06

[5]

基于原位反应提高铜基复合材料强度与电导率匹配的方法 [P].

董龙龙 ;

张伟 ;

霍望图 ;

李亮 ;

贺加贝 ;

李响 ;

常国 ;

宋梦珊 .

中国专利 :CN113322390A ,2021-08-31

[6]

外延沉积纳米界面层提高石墨烯-铜复合材料电导率的方法 [P].

熊定邦 ;

何诗雨 ;

张荻 .

中国专利 :CN120844048A ,2025-10-28

[7]

一种基于原位合成的石墨烯铜基复合材料的制备方法 [P].

李秀辉 ;

燕绍九 ;

洪起虎 ;

陈翔 ;

王楠 .

中国专利 :CN110125385A ,2019-08-16

[8]

一种高电导率的石墨烯/银纳米复合材料的制备方法 [P].

韩璐 ;

刘成梅 ;

赵玉霞 ;

危岩 ;

李路海 ;

魏先福 .

中国专利 :CN103639421A ,2014-03-19

[9]

纳米石墨高电导率复合材料及其制备方法 [P].

赵超越 ;

庞斌 ;

杜宁 ;

陈桥 ;

吴刚 .

中国专利 :CN101418107A ,2009-04-29

[10]

一种高介电常数低电导率的纳米复合材料 [P].

刘金章 ;

李明 .

中国专利 :CN108752812A ,2018-11-06

← 1 2 3 4 5 →