半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480014023.X

申请日：

2024-01-29

公开(公告)号：

CN120770210A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

渡壁创津吹将志佐佐木俊成花田明纮田丸尊也望月真里奈小野寺凉

申请人：

株式会社日本显示器

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

韩雪莲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	公开	公开
2025-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20240129

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

浅见良信 .

中国专利 :CN112768511A ,2021-05-07

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

花田明纮 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 .

日本专利 :CN120753017A ,2025-10-03

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

高桥正弘 ;

岸田英幸 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN104867982A ,2015-08-26

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN108305895A ,2018-07-20

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

花田明纮 ;

汤川统央 ;

海东拓生 .

日本专利 :CN120786926A ,2025-10-14

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

浅见良信 .

中国专利 :CN107210227A ,2017-09-26

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN104584229A ,2015-04-29

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

渡部将弘 .

日本专利 :CN119767752A ,2025-04-04

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

須沢英臣 ;

笹川慎也 ;

村冈大河 .

中国专利 :CN103872141B ,2014-06-18

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

藤井照幸 ;

今林良太 .

中国专利 :CN102822978B ,2012-12-12

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