半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110088700.0

申请日：

2016-01-28

公开(公告)号：

CN112768511A

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

浅见良信

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2924

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

宋俊寅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	公开	公开
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/24 申请日:20160128

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

浅见良信 .

中国专利 :CN107210227A ,2017-09-26

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

野田耕生 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN102473735B ,2012-05-23

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

花田明纮 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 .

日本专利 :CN120753017A ,2025-10-03

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

高桥正弘 ;

岸田英幸 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN104867982A ,2015-08-26

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

花田明纮 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 .

日本专利 :CN120770210A ,2025-10-10

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN108305895A ,2018-07-20

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

花田明纮 ;

汤川统央 ;

海东拓生 .

日本专利 :CN120786926A ,2025-10-14

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

野田耕生 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN103489871A ,2014-01-01

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN104584229A ,2015-04-29

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

渡部将弘 .

日本专利 :CN119767752A ,2025-04-04

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