半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310317861.8

申请日：

2010-07-14

公开(公告)号：

CN103489871A

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

山崎舜平大原宏树佐佐木俊成野田耕生桑原秀明

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张鑫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101567145889 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2013103178618 申请日:20100714
2016-03-23	授权	授权
2014-01-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

浅见良信 .

中国专利 :CN112768511A ,2021-05-07

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

野田耕生 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN102473735B ,2012-05-23

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

浅见良信 .

中国专利 :CN107210227A ,2017-09-26

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN103348464B ,2013-10-09

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

早川昌彦 ;

筱原聪始 .

中国专利 :CN108389911B ,2018-08-10

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

筱原聪始 .

中国专利 :CN106960880A ,2017-07-18

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫人秀和 .

中国专利 :CN105849875B ,2016-08-10

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

坂田淳一郎 ;

岛津贵志 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101794820A ,2010-08-04

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

花田明纮 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 .

日本专利 :CN120753017A ,2025-10-03

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

金台原 ;

金亨俊 ;

卓容奭 ;

金俞琳 ;

李公洙 .

中国专利 :CN115700921A ,2023-02-07

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