一种MEMS惯性传感器及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202510886315.9
申请日
2025-06-30
公开(公告)号
CN120403623B
公开(公告)日
2025-10-03
发明(设计)人
黄晟 李钊 汪超 王春水 刘翔天 杜全沛
申请人
武汉衡惯科技发展有限公司
申请人地址
430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1131(自贸区武汉片区)
IPC主分类号
G01C21/16
IPC分类号
G01C25/00 B81B7/02 B81C1/00 B81C3/00
代理机构
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228
代理人
吴俣
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种MEMS惯性传感器及其制造方法 [P]. 
黄晟 ;
李钊 ;
汪超 ;
王春水 ;
刘翔天 ;
杜全沛 .
中国专利 :CN120403623A ,2025-08-01
[2]
一种MEMS惯性传感器及惯性测量装置 [P]. 
黄晟 ;
蔡光艳 .
中国专利 :CN220625323U ,2024-03-19
[3]
一种MEMS惯性传感器及其制造方法 [P]. 
郑国光 .
中国专利 :CN104819730A ,2015-08-05
[4]
一种MEMS惯性传感器及其制造方法 [P]. 
郑国光 .
中国专利 :CN104891419A ,2015-09-09
[5]
微机电系统及其MEMS惯性传感器、制造方法 [P]. 
张拴 ;
杨云春 ;
马琳 ;
陆原 ;
郭鹏飞 .
中国专利 :CN113551672A ,2021-10-26
[6]
一种集成化MEMS惯性传感器 [P]. 
黄晟 ;
蔡光艳 ;
蔡喜元 ;
魏晓莉 ;
贾蔓谷 ;
丁铮 .
中国专利 :CN221797052U ,2024-10-01
[7]
一种MEMS多轴惯性传感器 [P]. 
黄晟 ;
蔡光艳 ;
蔡喜元 ;
魏晓莉 ;
贾蔓谷 ;
丁铮 .
中国专利 :CN118465308A ,2024-08-09
[8]
MEMS惯性传感器、湿度传感器集成装置及其制造方法 [P]. 
郑国光 .
中国专利 :CN105115540B ,2015-12-02
[9]
一种MEMS惯性传感器件及其制造方法 [P]. 
李文翔 .
中国专利 :CN105621348A ,2016-06-01
[10]
一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器 [P]. 
虢晓双 ;
杨靖 ;
张新凯 ;
熊亮 ;
黎傲雪 ;
彭健 .
中国专利 :CN215364898U ,2021-12-31