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一种MEMS惯性传感器及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510886315.9
申请日
:
2025-06-30
公开(公告)号
:
CN120403623B
公开(公告)日
:
2025-10-03
发明(设计)人
:
黄晟
李钊
汪超
王春水
刘翔天
杜全沛
申请人
:
武汉衡惯科技发展有限公司
申请人地址
:
430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1131(自贸区武汉片区)
IPC主分类号
:
G01C21/16
IPC分类号
:
G01C25/00
B81B7/02
B81C1/00
B81C3/00
代理机构
:
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228
代理人
:
吴俣
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-03
授权
授权
2025-08-19
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G01C 21/16申请日:20250630
2025-08-01
公开
公开
共 50 条
[1]
一种MEMS惯性传感器及其制造方法
[P].
黄晟
论文数:
0
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0
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
黄晟
;
李钊
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
李钊
;
汪超
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
汪超
;
王春水
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
王春水
;
刘翔天
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
刘翔天
;
杜全沛
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
杜全沛
.
中国专利
:CN120403623A
,2025-08-01
[2]
一种MEMS惯性传感器及惯性测量装置
[P].
黄晟
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
黄晟
;
蔡光艳
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
蔡光艳
.
中国专利
:CN220625323U
,2024-03-19
[3]
一种MEMS惯性传感器及其制造方法
[P].
郑国光
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0
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郑国光
.
中国专利
:CN104819730A
,2015-08-05
[4]
一种MEMS惯性传感器及其制造方法
[P].
郑国光
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0
郑国光
.
中国专利
:CN104891419A
,2015-09-09
[5]
微机电系统及其MEMS惯性传感器、制造方法
[P].
张拴
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张拴
;
杨云春
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杨云春
;
马琳
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马琳
;
陆原
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陆原
;
郭鹏飞
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郭鹏飞
.
中国专利
:CN113551672A
,2021-10-26
[6]
一种集成化MEMS惯性传感器
[P].
黄晟
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
黄晟
;
蔡光艳
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
蔡光艳
;
蔡喜元
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
蔡喜元
;
魏晓莉
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
魏晓莉
;
贾蔓谷
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武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
贾蔓谷
;
丁铮
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
丁铮
.
中国专利
:CN221797052U
,2024-10-01
[7]
一种MEMS多轴惯性传感器
[P].
黄晟
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
黄晟
;
蔡光艳
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
蔡光艳
;
蔡喜元
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
蔡喜元
;
魏晓莉
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
魏晓莉
;
贾蔓谷
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机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
贾蔓谷
;
丁铮
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0
机构:
武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
丁铮
.
中国专利
:CN118465308A
,2024-08-09
[8]
MEMS惯性传感器、湿度传感器集成装置及其制造方法
[P].
郑国光
论文数:
0
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0
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0
郑国光
.
中国专利
:CN105115540B
,2015-12-02
[9]
一种MEMS惯性传感器件及其制造方法
[P].
李文翔
论文数:
0
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0
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李文翔
.
中国专利
:CN105621348A
,2016-06-01
[10]
一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器
[P].
虢晓双
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虢晓双
;
杨靖
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杨靖
;
张新凯
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张新凯
;
熊亮
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熊亮
;
黎傲雪
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黎傲雪
;
彭健
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0
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彭健
.
中国专利
:CN215364898U
,2021-12-31
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