一种应变二维磁隧道结器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510878387.9

申请日：

2025-06-27

公开(公告)号：

CN120711999A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

刘陶向都田仕嘉

申请人：

复旦大学

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H10N50/10

IPC分类号：

H10N50/01 H10N50/80 H10N50/85

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

陈天宝

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 50/10申请日:20250627

共 50 条

[1]

一种电场调控二维磁性隧道结及其制备方法和应用 [P].

吴世喆 ;

苟金龙 ;

张德林 ;

侯高猛 ;

姜勇 .

中国专利 :CN120018763B ,2025-07-18

[2]

一种电场调控二维磁性隧道结及其制备方法和应用 [P].

吴世喆 ;

苟金龙 ;

张德林 ;

侯高猛 ;

姜勇 .

中国专利 :CN120018763A ,2025-05-16

[3]

一种二维异质结阵列器件及其制备方法 [P].

李东 ;

朱晨光 ;

朱小莉 ;

潘安练 .

中国专利 :CN113284889A ,2021-08-20

[4]

人工反铁磁薄膜及其制备方法、磁性隧道结器件 [P].

韩荣坤 ;

赵建华 ;

魏大海 .

中国专利 :CN118591261A ,2024-09-03

[5]

一种实现交换偏置效应的二维异质结器件的制备方法 [P].

普勇 ;

郭欣蕾 ;

钮伟 ;

吴振旗 ;

顾凯 .

中国专利 :CN114792753B ,2024-12-06

[6]

一种实现交换偏置效应的二维异质结器件的制备方法 [P].

普勇 ;

郭欣蕾 ;

钮伟 ;

吴振旗 ;

顾凯 .

中国专利 :CN114792753A ,2022-07-26

[7]

磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件 [P].

赵旭鹏 ;

韩荣坤 ;

赵建华 .

中国专利 :CN114335327A ,2022-04-12

[8]

一种基于二维材料隧穿层的莫尔隧道结及其制备方法 [P].

方贺男 ;

黄旭东 ;

李功照 .

中国专利 :CN115633541A ,2023-01-20

[9]

一种基于二维材料隧穿层的莫尔隧道结及其制备方法 [P].

方贺男 ;

黄旭东 ;

李功照 .

中国专利 :CN115633541B ,2025-05-16

[10]

二维材料异质结热电器件及其制备方法 [P].

易典 ;

王荣福 .

中国专利 :CN114530546A ,2022-05-24

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