一种电场调控二维磁性隧道结及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510502951.7

申请日：

2025-04-22

公开(公告)号：

CN120018763A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

吴世喆苟金龙张德林侯高猛姜勇

申请人：

天津工业大学

申请人地址：

300387 天津市西青区宾水西道399号

IPC主分类号：

H10N50/10

IPC分类号：

H10N50/85 H10N50/01

代理机构：

天津合正知识产权代理有限公司 12229

代理人：

马云云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

天津市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 50/10申请日:20250422
2025-07-18	授权	授权
2025-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种电场调控二维磁性隧道结及其制备方法和应用 [P].

吴世喆 ;

苟金龙 ;

张德林 ;

侯高猛 ;

姜勇 .

中国专利 :CN120018763B ,2025-07-18

[2]

一种二维磁性异质结及其制备方法与应用 [P].

张德林 ;

苟金龙 ;

姜勇 ;

王平 ;

吴世喆 .

中国专利 :CN118973367A ,2024-11-15

[3]

一种应变二维磁隧道结器件及其制备方法 [P].

刘陶 ;

向都 ;

田仕嘉 .

中国专利 :CN120711999A ,2025-09-26

[4]

一种二维磁性半导体CrSCl晶体及其制备方法和应用 [P].

王勇 ;

杨定怡 ;

张瑜 ;

王少朋 ;

吴亦章 ;

郝跃 .

中国专利 :CN118422325A ,2024-08-02

[5]

一种缺陷调控的二维材料异质结器件及其制备方法和应用 [P].

李泽晖 ;

王坤婵 ;

李彭 ;

钟嘉浩 ;

郭瑞锐 .

中国专利 :CN117907410A ,2024-04-19

[6]

一种缺陷调控的二维材料异质结器件及其制备方法和应用 [P].

李泽晖 ;

王坤婵 ;

李彭 ;

钟嘉浩 ;

郭瑞锐 .

中国专利 :CN117907410B ,2024-11-26

[7]

一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法 [P].

吴雅苹 ;

柯聪明 ;

周江鹏 ;

康俊勇 ;

吴志明 ;

张纯淼 .

中国专利 :CN108767107B ,2018-11-06

[8]

一种二维反铁电磁性隧道结 [P].

陆赟豪 ;

李林军 ;

沈金泊 ;

朱焕峰 .

中国专利 :CN115084357B ,2025-10-24

[9]

一种二维反铁电磁性隧道结 [P].

陆赟豪 ;

李林军 ;

沈金泊 ;

朱焕峰 .

中国专利 :CN115084357A ,2022-09-20

[10]

一种氧化铬和碲化铬二维异质结及其制备方法和应用 [P].

黎博 ;

易琛 ;

李球球 ;

段曦东 .

中国专利 :CN119753626A ,2025-04-04

← 1 2 3 4 5 →