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优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511173390.7
申请日：
2025-08-21
公开(公告)号：
CN120751798A
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
文晋 张培峰 苏莹 冯伟 徐文艾 薛建凯
申请人：
山西创芯光电科技有限公司
申请人地址：
030000 山西省太原市小店区南内环街16号二号厂房一层
IPC主分类号：
H10F39/12
IPC分类号：
H10F39/95
代理机构：
太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109
代理人：
孟肖阳;冷锦超
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-03 公开 公开
2025-10-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/12申请日:20250821
共 50 条
[1]
一种Ⅱ类超晶格红外探测器单元结构及其制备方法、Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器 [P]. 
薛建凯 ;
张培峰 ;
雷宇 ;
宫联国 ;
许多 ;
苏莹 ;
李斌 ;
文晋 ;
冯伟 ;
朱坤 ;
赵毅 ;
徐文艾 .
中国专利 :CN115513310A ,2022-12-23
[2]
Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器 [P]. 
文晋 ;
张培峰 ;
苏莹 ;
冯伟 ;
徐文艾 ;
薛建凯 .
中国专利 :CN120730858A ,2025-09-30
[3]
Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器 [P]. 
文晋 ;
张培峰 ;
苏莹 ;
冯伟 ;
徐文艾 ;
薛建凯 .
中国专利 :CN120730858B ,2025-11-04
[4]
一种超晶格红外探测器电极制备方法及超晶格红外探测器 [P]. 
任昂 ;
李景峰 ;
刘铭 .
中国专利 :CN119836035A ,2025-04-15
[5]
一种Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器 [P]. 
陈田 ;
李斌 ;
刘慧颖 ;
徐文艾 ;
朱坤 ;
苏莹 ;
许多 .
中国专利 :CN221008964U ,2024-05-24
[6]
超晶格红外探测器及其制备方法 [P]. 
黄晟 ;
黄立 ;
吴佳 ;
魏国帅 ;
刘永锋 .
中国专利 :CN119451292A ,2025-02-14
[7]
超晶格红外探测器及其制备方法 [P]. 
黄晟 ;
黄立 ;
吴佳 ;
刘永锋 .
中国专利 :CN119277843A ,2025-01-07
[8]
一种台面结构红外探测器底部填充方法及红外探测器 [P]. 
张轶 ;
游聪娅 ;
刘铭 ;
李海燕 ;
何温 .
中国专利 :CN119767835A ,2025-04-04
[9]
红外探测器的制备方法及红外探测器 [P]. 
李胜利 ;
乔启峰 .
中国专利 :CN120161682A ,2025-06-17
[10]
一种低缺陷超晶格长波红外探测器制备方法及红外探测器 [P]. 
徐志成 .
中国专利 :CN119230653A ,2024-12-31
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