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Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511188486.0
申请日：
2025-08-25
公开(公告)号：
CN120730858A
公开(公告)日：
2025-09-30
发明(设计)人：
文晋 张培峰 苏莹 冯伟 徐文艾 薛建凯
申请人：
山西创芯光电科技有限公司
申请人地址：
030000 山西省太原市小店区南内环街16号二号厂房一层
IPC主分类号：
H10F39/12
IPC分类号：
H10F39/95
代理机构：
太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109
代理人：
孟肖阳;冷锦超
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 授权 授权
2025-09-30 公开 公开
2025-10-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/12申请日:20250825
共 50 条
[1]
Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器 [P]. 
文晋 ;
张培峰 ;
苏莹 ;
冯伟 ;
徐文艾 ;
薛建凯 .
中国专利 :CN120730858B ,2025-11-04
[2]
中波超晶格红外探测器 [P]. 
王国伟 ;
李农 ;
刘冰 ;
朱小贵 ;
李宁 ;
牛智川 .
中国专利 :CN113327992A ,2021-08-31
[3]
非制冷红外焦平面阵列探测器 [P]. 
潘峰 ;
钱剑 ;
姜利军 .
中国专利 :CN302559056S ,2013-09-04
[4]
一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法 [P]. 
马盛林 ;
朱蕴晖 ;
孙新 ;
金玉丰 ;
陈兢 ;
缪旻 .
中国专利 :CN102280456B ,2011-12-14
[5]
优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器 [P]. 
文晋 ;
张培峰 ;
苏莹 ;
冯伟 ;
徐文艾 ;
薛建凯 .
中国专利 :CN120751798A ,2025-10-03
[6]
台面型红外探测器、焦平面阵列芯片和读出电路芯片 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN217132370U ,2022-08-05
[7]
一种超晶格红外探测器芯片制作方法 [P]. 
张竟 ;
张培峰 ;
苏莹 ;
李水利 ;
王慧云 ;
王书浩 .
中国专利 :CN119653912B ,2025-04-11
[8]
一种非制冷红外焦平面阵列探测器 [P]. 
王大甲 ;
许勇 ;
周龙飞 ;
王春雷 .
中国专利 :CN209027681U ,2019-06-25
[9]
一种超晶格红外探测器芯片制作方法 [P]. 
张竟 ;
张培峰 ;
苏莹 ;
李水利 ;
王慧云 ;
王书浩 .
中国专利 :CN119653912A ,2025-03-18
[10]
非制冷红外焦平面阵列读出电路及探测器 [P]. 
刘俊 ;
何佳 ;
马平洋 .
中国专利 :CN119124362A ,2024-12-13
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