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一种超晶格红外探测器芯片制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510169589.6
申请日：
2025-02-17
公开(公告)号：
CN119653912B
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
张竟 张培峰 苏莹 李水利 王慧云 王书浩
申请人：
山西创芯光电科技有限公司
申请人地址：
030000 山西省太原市小店区南内环街16号二号厂房一层
IPC主分类号：
H10F71/00
IPC分类号：
H10F30/21
代理机构：
太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109
代理人：
孟肖阳;冷锦超
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 公开 公开
2025-04-11 授权 授权
2025-04-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20250217
共 50 条
[1]
一种超晶格红外探测器芯片制作方法 [P]. 
张竟 ;
张培峰 ;
苏莹 ;
李水利 ;
王慧云 ;
王书浩 .
中国专利 :CN119653912A ,2025-03-18
[2]
Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器 [P]. 
文晋 ;
张培峰 ;
苏莹 ;
冯伟 ;
徐文艾 ;
薛建凯 .
中国专利 :CN120730858A ,2025-09-30
[3]
Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器 [P]. 
文晋 ;
张培峰 ;
苏莹 ;
冯伟 ;
徐文艾 ;
薛建凯 .
中国专利 :CN120730858B ,2025-11-04
[4]
一种超晶格红外探测器电极制备方法及超晶格红外探测器 [P]. 
任昂 ;
李景峰 ;
刘铭 .
中国专利 :CN119836035A ,2025-04-15
[5]
中波超晶格红外探测器 [P]. 
王国伟 ;
李农 ;
刘冰 ;
朱小贵 ;
李宁 ;
牛智川 .
中国专利 :CN113327992A ,2021-08-31
[6]
钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P]. 
曹玉莲 ;
马文全 ;
张艳华 .
中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11
[7]
一种锑化物超晶格红外探测器芯片的钝化方法 [P]. 
崔爱梁 ;
魏鹏 ;
朱旭波 ;
吴栋颖 ;
王安华 .
中国专利 :CN118099275A ,2024-05-28
[8]
一种InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法 [P]. 
杨晓杰 ;
刘永峰 ;
张传杰 ;
谭必松 ;
周文洪 ;
黄立 .
中国专利 :CN108133970A ,2018-06-08
[9]
红外探测器及其制作方法 [P]. 
黄勇 ;
赵宇 ;
吴启花 .
中国专利 :CN110444628B ,2019-11-12
[10]
红外探测器及其制作方法 [P]. 
边历峰 ;
任昕 ;
杨晓杰 ;
黄宏娟 .
中国专利 :CN104103697B ,2014-10-15
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