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用于N金属膜沉积的方法、系统和设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510337096.9
申请日
:
2025-03-21
公开(公告)号
:
CN120700470A
公开(公告)日
:
2025-09-26
发明(设计)人
:
W·李
S·王
M·萨米耶
B·坎南
申请人
:
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址
:
荷兰阿尔梅勒
IPC主分类号
:
C23C16/455
IPC分类号
:
C23C16/34
C23C16/32
C23C16/52
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
王冉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-26
公开
公开
共 50 条
[1]
金属膜的沉积
[P].
约瑟亚·科林斯
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约瑟亚·科林斯
;
格里芬·约翰·肯尼迪
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格里芬·约翰·肯尼迪
;
汉娜·班诺克尔
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汉娜·班诺克尔
;
帕特里克·范克利蒙布特
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帕特里克·范克利蒙布特
;
塞沙萨耶·瓦拉达拉简
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塞沙萨耶·瓦拉达拉简
.
中国专利
:CN113366144A
,2021-09-07
[2]
用于沉积过渡金属膜的方法、系统和设备
[P].
V·S·N·R·查瓦
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
V·S·N·R·查瓦
;
E·H·索洛夫
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
E·H·索洛夫
;
R·B·米利根
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
R·B·米利根
;
M·萨米伊
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
M·萨米伊
;
B·坎南
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
B·坎南
;
D·李
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ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
D·李
;
R·贾卡拉朱
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机构:
ASMIP私人控股有限公司
ASMIP私人控股有限公司
R·贾卡拉朱
.
:CN119194396A
,2024-12-27
[3]
用于沉积贫氧金属膜的方法
[P].
C·舒伯特
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C·舒伯特
;
E-X·平
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E-X·平
;
Y·森扎齐
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Y·森扎齐
.
中国专利
:CN104471689A
,2015-03-25
[4]
金属膜的沉积
[P].
尹炳勋
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尹炳勋
;
雷伟
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雷伟
;
柳尚澔
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柳尚澔
.
中国专利
:CN115003854A
,2022-09-02
[5]
金属膜的沉积
[P].
尹炳勋
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应用材料公司
应用材料公司
尹炳勋
;
雷伟
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应用材料公司
应用材料公司
雷伟
;
柳尚澔
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应用材料公司
应用材料公司
柳尚澔
.
美国专利
:CN115003854B
,2024-07-23
[6]
金属膜的沉积
[P].
阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯
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阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯
;
仓富敬
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仓富敬
;
海克·林
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海克·林
;
伊诚·陈
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伊诚·陈
;
张镁
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张镁
.
中国专利
:CN110024079A
,2019-07-16
[7]
金属膜沉积
[P].
雷雨
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雷雨
;
李相协
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李相协
;
克里斯·帕贝里可
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克里斯·帕贝里可
;
徐翼
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徐翼
;
河泰泓
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河泰泓
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唐先民
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唐先民
;
朴金河
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朴金河
.
中国专利
:CN112105758A
,2020-12-18
[8]
一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备
[P].
何中凯
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何中凯
;
荣延栋
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荣延栋
;
刘菲菲
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刘菲菲
;
夏威
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夏威
;
丁培军
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丁培军
.
中国专利
:CN109207942A
,2019-01-15
[9]
金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置
[P].
池田太郎
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池田太郎
;
水泽宁
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水泽宁
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波多野达夫
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波多野达夫
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横山敦
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横山敦
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佐久间隆
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佐久间隆
.
中国专利
:CN101213642A
,2008-07-02
[10]
金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置
[P].
池田太郎
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池田太郎
;
水泽宁
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水泽宁
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波多野达夫
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波多野达夫
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横山敦
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横山敦
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佐久间隆
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佐久间隆
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中国专利
:CN101914752B
,2010-12-15
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