功率芯片封装结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410377362.6

申请日：

2024-03-29

公开(公告)号：

CN120727576A

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

谢有德邱思齐赵维中陈彦玮

申请人：

同欣电子工业股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台北市

IPC主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L23/495

代理机构：

北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446

代理人：

何春晖;刘兴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	公开	公开
2025-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/48申请日:20240329

共 50 条

[1]

功率芯片封装结构及其制造方法 [P].

谢有德 ;

赵维中 ;

陈彦玮 ;

邱思齐 .

中国专利 :CN120656940A ,2025-09-16

[2]

一种功率芯片压接封装结构及其制造方法 [P].

王亮 ;

石浩 ;

孙帅 ;

陈陶 ;

胡婷婷 .

中国专利 :CN113097186A ,2021-07-09

[3]

一种功率芯片压接封装结构及其制造方法 [P].

王亮 ;

石浩 ;

孙帅 ;

陈陶 ;

胡婷婷 .

中国专利 :CN113097186B ,2025-07-11

[4]

功率芯片封装结构及其制备方法 [P].

丁晓春 ;

李宗怿 ;

倪洽凯 ;

刘籽余 ;

柳坤 .

中国专利 :CN114649223A ,2022-06-21

[5]

功率芯片及其封装方法 [P].

童富 ;

陈少俭 ;

杨琳 .

中国专利 :CN117352468A ,2024-01-05

[6]

功率芯片封装结构 [P].

冷中明 ;

谢智正 .

中国专利 :CN208954972U ,2019-06-07

[7]

功率芯片封装结构 [P].

邱思齐 ;

谢有德 ;

陈彦玮 ;

钟志育 ;

郭育茹 .

中国专利 :CN120878644A ,2025-10-31

[8]

功率芯片封装结构 [P].

连崇孝 ;

吕伟铭 ;

吴家逸 ;

邱思齐 .

中国专利 :CN118553702A ,2024-08-27

[9]

功率芯片封装结构 [P].

胡志武 ;

董天源 .

中国专利 :CN217881489U ,2022-11-22

[10]

功率芯片封装结构 [P].

冷中明 ;

谢智正 .

中国专利 :CN111146157A ,2020-05-12

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