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半导体器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310523748.9
申请日：
2023-05-09
公开(公告)号：
CN118984592B
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
郭帅
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B43/20
IPC分类号：
H10B43/35
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-06 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/20申请日:20230509
2025-10-03 授权 授权
2024-11-19 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN118984592A ,2024-11-19
[2]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
周济 ;
储成全 ;
柏佩文 ;
蒲甜松 .
中国专利 :CN118712132A ,2024-09-27
[3]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
周济 ;
储成全 ;
柏佩文 ;
蒲甜松 .
中国专利 :CN118712132B ,2024-11-15
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
孙祥烈 ;
许静 ;
罗军 ;
赵超 .
中国专利 :CN113380699A ,2021-09-10
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
李敏 .
中国专利 :CN106257650B ,2016-12-28
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
王同信 ;
肖婷 .
中国专利 :CN118763096A ,2024-10-11
[7]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN119095376A ,2024-12-06
[8]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
孙茂 ;
高理想 ;
张宏光 .
中国专利 :CN118431164A ,2024-08-02
[9]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
龚雪芹 ;
张彦飞 ;
刘梦新 ;
温霄霞 .
中国专利 :CN118366865B ,2024-10-29
[10]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
徐希锐 .
中国专利 :CN118929568A ,2024-11-12
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