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一种铌酸锂-氮化硅异质集成电光调制器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510124222.2
申请日：
2025-01-26
公开(公告)号：
CN119828365B
公开(公告)日：
2025-09-30
发明(设计)人：
刘敬伟 李超 李春龙 周良 蔡丰任 张彦乐 花晓强
申请人：
国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司
申请人地址：
101499 北京市怀柔区大中富乐村北红螺东路21号56幢1层106-15室
IPC主分类号：
G02F1/03
IPC分类号：
G02F1/035
代理机构：
北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718
代理人：
秦亚群
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-30 授权 授权
2025-05-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/03申请日:20250126
2025-04-15 公开 公开
共 50 条
[1]
一种铌酸锂-氮化硅异质集成电光调制器及其制备方法 [P]. 
刘敬伟 ;
李超 ;
李春龙 ;
周良 ;
蔡丰任 ;
张彦乐 ;
花晓强 .
中国专利 :CN119828365A ,2025-04-15
[2]
一种与氮化硅异质集成的铌酸锂薄膜相位调制器 [P]. 
李慧 ;
廖升 ;
王飞 ;
赵蕊 ;
温琛 ;
樊榕 ;
冯丽爽 .
中国专利 :CN116009294B ,2025-08-15
[3]
氮化硅‑铌酸锂异质集成波导器件结构及制备方法 [P]. 
冯吉军 ;
翟珊 ;
顾昌林 ;
霍雨 ;
曾和平 .
中国专利 :CN107843957A ,2018-03-27
[4]
一种铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法 [P]. 
尹志军 ;
叶志霖 ;
崔国新 ;
许志城 .
中国专利 :CN113900284A ,2022-01-07
[5]
一种铌酸锂氮化硅集成器件及其制备方法 [P]. 
付孔霜 ;
张心雨 ;
安晓维 .
中国专利 :CN121209004A ,2025-12-26
[6]
一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P]. 
李萍 .
中国专利 :CN112835214A ,2021-05-25
[7]
一种铌酸锂薄膜电光调制器 [P]. 
李萍 .
中国专利 :CN211506095U ,2020-09-15
[8]
异质集成的电光调制器及其制备方法 [P]. 
刘敬伟 ;
李超 ;
李春龙 ;
周良 ;
蔡丰任 ;
张彦乐 ;
花晓强 .
中国专利 :CN119717318A ,2025-03-28
[9]
异质集成的电光调制器及其制备方法 [P]. 
刘敬伟 ;
李超 ;
李春龙 ;
周良 ;
蔡丰任 ;
张彦乐 ;
花晓强 .
中国专利 :CN119717318B ,2025-10-21
[10]
一种铌酸锂/氮化硅光波导集成结构及其制备方法 [P]. 
李真宇 ;
张秀全 ;
张涛 ;
李洋洋 .
中国专利 :CN109613647B ,2019-04-12
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