一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路

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专利类型
发明
申请号
CN202511150527.7
申请日
2025-08-18
公开(公告)号
CN120723006A
公开(公告)日
2025-09-30
发明(设计)人
唐枋
申请人
金凤实验室
申请人地址
401329 重庆市九龙坡区金玥路313号
IPC主分类号
G05F1/56
IPC分类号
代理机构
北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
代理人
方钟苑
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种面向大面阵图像传感器的LDO低功耗瞬态增强电路 [P]. 
唐枋 .
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