一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211168956.3

申请日：

2022-09-25

公开(公告)号：

CN115472675B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

张金平兰逸飞黄云翔张波

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H01L21/28 H10D64/27 H10D12/00 H10D12/01

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

霍淑利

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

兰逸飞 ;

黄云翔 ;

张波 .

中国专利 :CN115472675A ,2022-12-13

[2]

一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

李小锋 ;

兰逸飞 ;

张波 .

中国专利 :CN115472677A ,2022-12-13

[3]

一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

黄云翔 ;

兰逸飞 ;

张波 .

中国专利 :CN115472676A ,2022-12-13

[4]

一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

李小锋 ;

兰逸飞 ;

张波 .

中国专利 :CN115472677B ,2025-11-25

[5]

一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 [P].

张金平 ;

黄云翔 ;

兰逸飞 ;

张波 .

中国专利 :CN115472674A ,2022-12-13

[6]

一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 [P].

张金平 ;

黄云翔 ;

李小锋 ;

张波 .

中国专利 :CN115425067A ,2022-12-02

[7]

一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管 [P].

甘朝阳 ;

董少华 ;

刘江 ;

朱涛 ;

金锐 ;

温家良 ;

潘艳 .

中国专利 :CN107579113A ,2018-01-12

[8]

具有沟槽结构的绝缘栅双极型晶体管 [P].

鸟居克行 .

中国专利 :CN102903740B ,2013-01-30

[9]

具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

杨文韬 ;

李巍 ;

夏小军 ;

张灵霞 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN102842612A ,2012-12-26

[10]

沟槽绝缘栅双极型晶体管 [P].

郭家铭 ;

俞仲威 ;

黄国伦 ;

张朝宗 .

中国专利 :CN214152905U ,2021-09-07

← 1 2 3 4 5 →