一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211168958.2

申请日：

2022-09-25

公开(公告)号：

CN115472677B

公开(公告)日：

2025-11-25

发明(设计)人：

张金平李小锋兰逸飞张波

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D64/27 H10D12/00 H10D84/40

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

霍淑利

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

李小锋 ;

兰逸飞 ;

张波 .

中国专利 :CN115472677A ,2022-12-13

[2]

一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

黄云翔 ;

兰逸飞 ;

张波 .

中国专利 :CN115472676A ,2022-12-13

[3]

一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

兰逸飞 ;

黄云翔 ;

张波 .

中国专利 :CN115472675A ,2022-12-13

[4]

一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

兰逸飞 ;

黄云翔 ;

张波 .

中国专利 :CN115472675B ,2025-10-03

[5]

一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 [P].

张金平 ;

黄云翔 ;

李小锋 ;

张波 .

中国专利 :CN115425067A ,2022-12-02

[6]

一种自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 [P].

张金平 ;

黄云翔 ;

兰逸飞 ;

张波 .

中国专利 :CN115472674A ,2022-12-13

[7]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

屈志军 ;

曾祥 .

中国专利 :CN101667593A ,2010-03-10

[8]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

屈志军 ;

曾祥 .

中国专利 :CN201478312U ,2010-05-19

[9]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

冯宇翔 ;

甘弟 .

中国专利 :CN108365007A ,2018-08-03

[10]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

冯宇翔 ;

甘弟 .

中国专利 :CN208077982U ,2018-11-09

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