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一种高质量钪铝氮薄膜及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510576081.8
申请日：
2025-05-06
公开(公告)号：
CN120758827A
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
贺钟冶 张立胜
申请人：
北京中博芯半导体科技有限公司
申请人地址：
101300 北京市顺义区文良街15号院1号楼3层A1区（顺创）
IPC主分类号：
C23C14/02
IPC分类号：
C23C14/06 C23C14/34 C30B23/02 C30B29/38 H03H3/00 H03H9/46 H03H9/54 H03H9/17
代理机构：
北京恒博知识产权代理有限公司 11528
代理人：
董晓彤
法律状态：
公开
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-10 公开 公开
2025-10-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/02申请日:20250506
共 50 条
[1]
一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN113463199A ,2021-10-01
[2]
一种钪铝氮薄膜的制备方法 [P]. 
张立胜 ;
贺钟冶 .
中国专利 :CN119776990A ,2025-04-08
[3]
一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
许福军 ;
沈波 ;
解楠 ;
王明星 ;
孙元浩 ;
刘百银 ;
秦志新 .
中国专利 :CN108155090A ,2018-06-12
[4]
一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
许福军 ;
沈波 ;
王明星 ;
王嘉铭 ;
康香宁 ;
秦志新 .
中国专利 :CN109994377A ,2019-07-09
[5]
一种高质量、低应力氮化镓薄膜及其制备方法 [P]. 
陈正昊 ;
杨学林 ;
张立胜 ;
沈波 ;
卢国军 .
中国专利 :CN121054471A ,2025-12-02
[6]
一种高质量GaN薄膜及其制备方法 [P]. 
贾伟 ;
樊腾 ;
李天保 ;
仝广运 ;
董海亮 ;
许并社 .
中国专利 :CN108538977B ,2018-09-14
[7]
一种高质量AlN及其制备方法和应用 [P]. 
许福军 ;
沈波 ;
解楠 ;
王明星 ;
孙元浩 ;
刘百银 ;
王新强 ;
秦志新 .
中国专利 :CN108364852A ,2018-08-03
[8]
一种高质量氮化铝压电薄膜及其制备方法 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN111697125A ,2020-09-22
[9]
一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法 [P]. 
周小伟 ;
冯宸宇 ;
李培咸 ;
杨雪 ;
马晓华 .
中国专利 :CN114171671A ,2022-03-11
[10]
一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法 [P]. 
周小伟 ;
冯宸宇 ;
李培咸 ;
杨雪 ;
马晓华 .
中国专利 :CN114171671B ,2025-11-07
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