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一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110853063.1
申请日：
2021-07-27
公开(公告)号：
CN115692321B
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
李晓杰
袁盼
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10D84/03
IPC分类号：
H10D84/85
H10B12/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-03 | 授权 | 授权 |