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半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20250006992
申请日：
2025-01-17
公开(公告)号：
JP2025144520A
公开(公告)日：
2025-10-02
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
G03F7/004
IPC分类号：
C07F9/00 G03F7/20
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025146682A ,2025-10-03
[2]
半導体フォトレジスト用組成物、およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025170746A ,2025-11-19
[3]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023529344A ,2023-07-10
[4]
半導体フォトレジスト用組成物、およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025175946A ,2025-12-03
[5]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025138568A ,2025-09-25
[6]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025146675A ,2025-10-03
[7]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
SHIN SEUNG-WOOK ;
JANG SUMIN ;
KANG EUNMI ;
KIM JIMIN ;
SEO YAEUN ;
SEONG TAEGEUN ;
U MASAHIDE ;
LEE MINYOUNG ;
LIM WANHEE ;
JANG SEUNGWOO ;
HAN JOONHEE .
日本专利 :JP2025106186A ,2025-07-15
[8]
半導体フォトレジスト用組成物、およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025155843A ,2025-10-14
[9]
半導体フォトレジスト用組成物、およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025155861A ,2025-10-14
[10]
半導体フォトレジスト用組成物およびこれを利用したパターン形成方法[ja] [P]. 
RYU DONG WAN ;
KANG EUNMI ;
KIM YOUNG KEUN ;
LIM SEOL HEE ;
LIM SOOBIN ;
KANG SUKIL .
日本专利 :JP2025026349A ,2025-02-21
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