短波红外焦平面阵列芯片及制作方法、传感器及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410866800.5

申请日：

2024-06-28

公开(公告)号：

CN118800824B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

亨利·H·阿达姆松苗渊浩

申请人：

广州诺尔光电科技有限公司

申请人地址：

510535 广东省广州市黄埔区开源大道136号Ａ栋213室

IPC主分类号：

H10F30/225

IPC分类号：

H10F77/122 H10F77/1226 H10F77/14 H10F39/12 H10F71/00

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

豆贝贝

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/107申请日:20240628
2025-10-17	授权	授权
2024-10-18	公开	公开

共 50 条

[1]

短波红外焦平面阵列芯片及其制作方法、传感器及其制作方法 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

苗渊浩 .

中国专利 :CN118800824A ,2024-10-18

[2]

红外焦平面阵列器件及其制作方法 [P].

欧文 ;

刘战峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102384789A ,2012-03-21

[3]

红外焦平面阵列器件及其制作方法 [P].

欧文 ;

刘战峰 .

中国专利 :CN102386268B ,2012-03-21

[4]

短波红外焦平面传感器及其制作方法、短波红外探测器 [P].

孔德玺 ;

李成 ;

周琳 ;

张洁 ;

程锦 ;

陈紫霄 ;

黄根 ;

崔颂 ;

彭志良 ;

王迎姿 .

中国专利 :CN115497971A ,2022-12-20

[5]

短波红外焦平面传感器及其制作方法、短波红外探测器 [P].

孔德玺 ;

李成 ;

周琳 ;

张洁 ;

程锦 ;

陈紫霄 ;

黄根 ;

崔颂 ;

彭志良 ;

王迎姿 .

中国专利 :CN115497971B ,2025-10-21

[6]

Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器 [P].

文晋 ;

张培峰 ;

苏莹 ;

冯伟 ;

徐文艾 ;

薛建凯 .

中国专利 :CN120730858A ,2025-09-30

[7]

Ⅱ类超晶格中波红外焦平面阵列芯片制作方法及红外探测器 [P].

文晋 ;

张培峰 ;

苏莹 ;

冯伟 ;

徐文艾 ;

薛建凯 .

中国专利 :CN120730858B ,2025-11-04

[8]

一种红外焦平面阵列及其制作方法 [P].

闫建华 ;

欧文 ;

欧毅 .

中国专利 :CN102998002B ,2013-03-27

[9]

像元结构、红外焦平面阵列及红外传感器 [P].

张强 ;

陈磊 ;

朱恩成 ;

王栋杰 ;

周汪洋 .

中国专利 :CN115507956A ,2022-12-23

[10]

非制冷光读出红外焦平面阵列结构和制作方法 [P].

孔延梅 ;

焦斌斌 ;

刘瑞文 .

中国专利 :CN103922270A ,2014-07-16

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