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一种激光熔覆高熵合金层的等离子体电解渗氮方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511056792.9
申请日
:
2025-07-30
公开(公告)号
:
CN120818786A
公开(公告)日
:
2025-10-21
发明(设计)人
:
董美伶
刘鹏伟
卢冰文
王超会
由园
张海新
蘧延庆
芦宏
顾峰
边楠
张博浩
申请人
:
齐齐哈尔大学
申请人地址
:
161006 黑龙江省齐齐哈尔市建华区文化大街42号
IPC主分类号
:
C23C8/36
IPC分类号
:
C23C24/10
C23C8/02
代理机构
:
西安研科知识产权代理事务所(普通合伙) 6100357
代理人
:
徐俊
法律状态
:
公开
国省代码
:
黑龙江省 齐齐哈尔市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-21
公开
公开
2025-11-07
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 8/36申请日:20250730
共 50 条
[1]
一种稀土催化改性液相等离子体电解渗氮方法及电解液
[P].
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机构:
王超会
;
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机构:
刘鹏伟
;
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机构:
董美伶
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机构:
由园
;
张海新
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机构:
齐齐哈尔大学
齐齐哈尔大学
张海新
;
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机构:
顾峰
;
边楠
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齐齐哈尔大学
齐齐哈尔大学
边楠
;
吕英领
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齐齐哈尔大学
齐齐哈尔大学
吕英领
;
陈淑婧
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机构:
齐齐哈尔大学
齐齐哈尔大学
陈淑婧
.
中国专利
:CN120844001A
,2025-10-28
[2]
液相等离子体电解渗氮的电解液
[P].
华小珍
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华小珍
;
许武波
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许武波
;
周浪
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周浪
;
郭文廷
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郭文廷
;
周贤良
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周贤良
;
崔霞
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崔霞
.
中国专利
:CN103060742A
,2013-04-24
[3]
一种低气压等离子体增强渗氮的设备
[P].
林国强
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林国强
;
韩治昀
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韩治昀
;
魏科科
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魏科科
.
中国专利
:CN204434714U
,2015-07-01
[4]
一种低气压等离子体增强渗氮的设备及方法
[P].
林国强
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林国强
;
韩治昀
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韩治昀
;
魏科科
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魏科科
.
中国专利
:CN104561888A
,2015-04-29
[5]
一种激光熔覆高熵合金离子渗氮复合涂层及其制备方法
[P].
刘晓飞
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河北光兴半导体技术有限公司
河北光兴半导体技术有限公司
刘晓飞
;
胡恒广
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机构:
河北光兴半导体技术有限公司
河北光兴半导体技术有限公司
胡恒广
;
闫冬成
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河北光兴半导体技术有限公司
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闫冬成
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张广涛
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河北光兴半导体技术有限公司
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张广涛
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刘泽文
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河北光兴半导体技术有限公司
河北光兴半导体技术有限公司
刘泽文
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杨懿
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河北光兴半导体技术有限公司
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杨懿
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李彩霞
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河北光兴半导体技术有限公司
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李彩霞
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闫俊龙
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河北光兴半导体技术有限公司
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闫俊龙
;
叶润
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河北光兴半导体技术有限公司
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叶润
;
王存麒
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河北光兴半导体技术有限公司
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王存麒
;
马俊卿
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机构:
河北光兴半导体技术有限公司
河北光兴半导体技术有限公司
马俊卿
.
中国专利
:CN118086891A
,2024-05-28
[6]
一种铜表面激光熔覆高熵合金涂层的方法
[P].
战再吉
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战再吉
;
史鹏飞
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史鹏飞
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曹海要
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曹海要
.
中国专利
:CN113621958A
,2021-11-09
[7]
一种液相等离子体电解渗入装置和方法
[P].
刘瑞良
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刘瑞良
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李凌泽
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李凌泽
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宋天宇
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宋天宇
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边城鑫
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边城鑫
.
中国专利
:CN113430486A
,2021-09-24
[8]
一种激光熔覆双相高熵合金涂层及其制备方法
[P].
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机构:
刘洪喜
;
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机构:
杨琛
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刘宇翀
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昆明理工大学
昆明理工大学
刘宇翀
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机构:
刘亚霞
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机构:
郝轩弘
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机构:
王悦怡
.
中国专利
:CN119685675A
,2025-03-25
[9]
一种激光熔覆双相高熵合金涂层及其制备方法
[P].
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机构:
刘洪喜
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机构:
杨琛
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刘宇翀
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机构:
昆明理工大学
昆明理工大学
刘宇翀
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机构:
刘亚霞
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机构:
郝轩弘
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机构:
王悦怡
.
中国专利
:CN119685675B
,2025-10-10
[10]
一种等离子熔覆高熵合金涂层的制备方法
[P].
王智慧
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王智慧
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王虎
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王虎
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贺定勇
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贺定勇
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蒋建敏
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蒋建敏
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崔丽
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崔丽
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周正
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周正
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赵雪飞
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赵雪飞
.
中国专利
:CN103060797A
,2013-04-24
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