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一种超高密度氧化铝陶瓷材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511096814.4
申请日
:
2025-08-06
公开(公告)号
:
CN120794586A
公开(公告)日
:
2025-10-17
发明(设计)人
:
黄超
刘滨
贺艳粉
申请人
:
河南济源兄弟材料有限责任公司
申请人地址
:
454650 河南省济源市科技工业区
IPC主分类号
:
C04B35/10
IPC分类号
:
C04B35/622
C04B35/632
C04B35/634
代理机构
:
河南隆盛知道专利代理有限公司 41229
代理人
:
祁学民
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-11-04
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/10申请日:20250806
2025-10-17
公开
公开
共 50 条
[1]
高密度氧化铝陶瓷材料及其低温烧结方法
[P].
李巨安
论文数:
0
引用数:
0
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0
李巨安
;
蒋丹宇
论文数:
0
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蒋丹宇
.
中国专利
:CN102093039B
,2011-06-15
[2]
氧化铝陶瓷材料及其制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN109305804A
,2019-02-05
[3]
氧化铝陶瓷材料及其制备方法
[P].
杨大胜
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨大胜
;
施纯锡
论文数:
0
引用数:
0
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0
施纯锡
.
中国专利
:CN107162574A
,2017-09-15
[4]
一种细晶透明氧化铝陶瓷材料及制备方法
[P].
庄苏伟
论文数:
0
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0
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庄苏伟
;
刘先兵
论文数:
0
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0
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刘先兵
.
中国专利
:CN102627450A
,2012-08-08
[5]
一种大尺寸高密度氧化铝陶瓷板材的制备方法
[P].
杨荣何
论文数:
0
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0
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
杨荣何
;
明亿希
论文数:
0
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
明亿希
;
曾文厚
论文数:
0
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0
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
曾文厚
;
陈立航
论文数:
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
陈立航
;
蒋晓钧
论文数:
0
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0
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
蒋晓钧
.
中国专利
:CN119735445A
,2025-04-01
[6]
一种氧化铝陶瓷材料及其制备方法
[P].
华文蔚
论文数:
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华文蔚
.
中国专利
:CN104387031A
,2015-03-04
[7]
一种氧化铝陶瓷材料及其制备方法
[P].
王怀志
论文数:
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机构:
北京华卓精科科技股份有限公司
北京华卓精科科技股份有限公司
王怀志
;
杨鹏远
论文数:
0
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机构:
北京华卓精科科技股份有限公司
北京华卓精科科技股份有限公司
杨鹏远
;
王建冲
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机构:
北京华卓精科科技股份有限公司
北京华卓精科科技股份有限公司
王建冲
;
徐智
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机构:
北京华卓精科科技股份有限公司
北京华卓精科科技股份有限公司
徐智
.
中国专利
:CN120172733A
,2025-06-20
[8]
一种氧化铝陶瓷材料及其制备方法
[P].
付绿平
论文数:
0
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0
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0
付绿平
;
唐少鹏
论文数:
0
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唐少鹏
;
顾华志
论文数:
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顾华志
;
黄奥
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黄奥
;
张美杰
论文数:
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0
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张美杰
.
中国专利
:CN113105218A
,2021-07-13
[9]
一种HTCC用氧化铝陶瓷材料及其制备方法
[P].
李安江
论文数:
0
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0
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机构:
贵阳顺络迅达电子有限公司
贵阳顺络迅达电子有限公司
李安江
;
杨震
论文数:
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机构:
贵阳顺络迅达电子有限公司
贵阳顺络迅达电子有限公司
杨震
;
何立奎
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机构:
贵阳顺络迅达电子有限公司
贵阳顺络迅达电子有限公司
何立奎
;
柳成华
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机构:
贵阳顺络迅达电子有限公司
贵阳顺络迅达电子有限公司
柳成华
;
高惠敏
论文数:
0
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0
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机构:
贵阳顺络迅达电子有限公司
贵阳顺络迅达电子有限公司
高惠敏
.
中国专利
:CN121063920A
,2025-12-05
[10]
一种氧化铝陶瓷材料的制备方法及氧化铝陶瓷基片
[P].
高朋召
论文数:
0
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高朋召
;
刘小磐
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刘小磐
;
郑航博
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郑航博
;
王垣力
论文数:
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王垣力
.
中国专利
:CN113185268B
,2021-07-30
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