一种半导体集成电路的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211421804.X

申请日：

2022-11-14

公开(公告)号：

CN115579326B

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

杨勇毛宗谦

申请人：

深圳市汇德科技有限公司

申请人地址：

518131 广东省深圳市龙华区民治街道白石龙社区新龙大厦2810

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/03 H10D89/60 H10D84/40

代理机构：

深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589

代理人：

李朦;叶垚平

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体集成电路的制造方法 [P].

杨勇 ;

毛宗谦 .

中国专利 :CN115579326A ,2023-01-06

[2]

制造半导体集成电路的方法及由此制造的半导体集成电路 [P].

李相殷 ;

宋润洽 .

中国专利 :CN1536650A ,2004-10-13

[3]

半导体集成电路的制造方法 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1134059C ,1999-06-30

[4]

半导体集成电路的制造方法 [P].

川越纮人 ;

白须辰美 ;

清田省吾 ;

铃木范夫 ;

山田荣一 ;

杉野雄史 ;

北野学 ;

桜井义彦 ;

长沼孝 ;

荒川久 .

中国专利 :CN1110073C ,1996-05-01

[5]

半导体集成电路制造的方法 [P].

梁铭彰 ;

林其渊 ;

吴燿光 .

中国专利 :CN103578953B ,2014-02-12

[6]

半导体集成电路制造的方法 [P].

解子颜 ;

张铭庆 ;

黄渊圣 ;

戴铭家 ;

陈昭成 .

中国专利 :CN103426821B ,2013-12-04

[7]

半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法 [P].

吉田伊織 ;

金喜則 .

中国专利 :CN101147242B ,2008-03-19

[8]

半导体集成电路及半导体集成电路的制造方法 [P].

宫城弘 .

中国专利 :CN1666410A ,2005-09-07

[9]

半导体集成电路的制造方法及半导体集成电路 [P].

和气美和 ;

吉田宜史 .

中国专利 :CN1433065A ,2003-07-30

[10]

半导体集成电路制造方法及半导体集成电路 [P].

赵保军 .

中国专利 :CN109979875A ,2019-07-05

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