绝缘膜形成材料、半导体装置的制造方法及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480026473.0

申请日：

2024-04-19

公开(公告)号：

CN120981899A

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

足立宪哉米田聪松川大作

申请人：

艾曲迪微系统股份有限公司

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

C08F290/14 C08F299/02 C08G73/10 H01L25/07 H01L25/18 H01L25/065

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

陈彦;孔博

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	公开	公开
2025-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/60申请日:20240419

共 50 条

[1]

绝缘膜形成材料、绝缘膜形成材料试剂盒、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

米田聪 ;

足立宪哉 ;

松川大作 .

日本专利 :CN121058087A ,2025-12-02

[2]

混合键合绝缘膜形成材料、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

足立宪哉 ;

米田聪 ;

小林香织 ;

松川大作 .

日本专利 :CN118946610A ,2024-11-12

[3]

半导体装置的制造方法、混合键合绝缘膜形成材料及半导体装置 [P].

米田聪 ;

小林香织 ;

足立宪哉 ;

田原真吾 ;

松川大作 .

日本专利 :CN118974883A ,2024-11-15

[4]

半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置 [P].

竹内淳一 .

中国专利 :CN1617325A ,2005-05-18

[5]

绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

冈崎健一 ;

佐佐木俊成 ;

横山周平 ;

羽持贵士 .

中国专利 :CN104185898B ,2014-12-03

[6]

绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

冈崎健一 ;

佐佐木俊成 ;

横山周平 ;

羽持贵士 .

中国专利 :CN106935656A ,2017-07-07

[7]

绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

冈崎健一 ;

佐佐木俊成 ;

横山周平 ;

羽持贵士 .

中国专利 :CN107123682A ,2017-09-01

[8]

形成材料层的方法、半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

金润洙 ;

金在员 ;

金海龙 ;

李珍镐 ;

翼白鸟 .

中国专利 :CN113862635A ,2021-12-31

[9]

半导体膜、半导体膜的形成方法、及半导体装置的制造方法 [P].

森本佳宏 .

中国专利 :CN1395287A ,2003-02-05

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

吉田崇一 .

日本专利 :CN119213568A ,2024-12-27

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