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形成材料层的方法、半导体装置和制造半导体装置的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110737506.0
申请日：
2021-06-30
公开(公告)号：
CN113862635A
公开(公告)日：
2021-12-31
发明(设计)人：
金润洙 金在员 金海龙 李珍镐 翼白鸟
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
C23C1606
IPC分类号：
C23C1602 C23C1644 H01L21762
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
赵南;肖学蕊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-12-31 公开 公开
共 50 条
[1]
绝缘膜形成材料、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
足立宪哉 ;
米田聪 ;
松川大作 .
日本专利 :CN120981899A ,2025-11-18
[2]
半导体装置和制造半导体装置的方法 [P]. 
李起洪 .
中国专利 :CN114334803A ,2022-04-12
[3]
半导体装置和制造半导体装置的方法 [P]. 
崔康植 .
中国专利 :CN114582877A ,2022-06-03
[4]
半导体装置和制造半导体装置的方法 [P]. 
徐文植 ;
尹大焕 .
中国专利 :CN114864586A ,2022-08-05
[5]
半导体装置和半导体装置的制造方法 [P]. 
金徐儇 ;
姜仁求 .
中国专利 :CN115084150A ,2022-09-20
[6]
半导体装置和制造半导体装置的方法 [P]. 
李埈硕 .
韩国专利 :CN118265310A ,2024-06-28
[7]
半导体装置的制造方法和半导体装置 [P]. 
陈景源 ;
张乃川 ;
石拓 .
中国专利 :CN118197906A ,2024-06-14
[8]
形成结晶半导体层的方法和装置及制造半导体装置的方法 [P]. 
山元良高 ;
西谷干彦 ;
平松雅人 ;
十文字正之 ;
木村嘉伸 .
中国专利 :CN100365763C ,2005-02-02
[9]
形成半导体装置的方法和半导体装置 [P]. 
魏正禹 ;
林政颐 ;
陈书涵 ;
徐志安 .
中国专利 :CN121057241A ,2025-12-02
[10]
半导体装置和形成半导体装置的方法 [P]. 
塔特·恩盖 ;
比施－银·恩古银 ;
维德亚·S·考什克 ;
詹姆斯·K·III·谢弗 .
中国专利 :CN1288755C ,2004-08-11
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