半导体装置和形成半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02809126.4

申请日：

2002-04-24

公开(公告)号：

CN1288755C

公开(公告)日：

2004-08-11

发明(设计)人：

塔特·恩盖比施－银·恩古银维德亚·S·考什克詹姆斯·K·III·谢弗

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238 H01L218234

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/092 变更事项:专利权人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯州变更后:美国得克萨斯州
2005-01-26	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:摩托罗拉公司变更后权利人:飞思卡尔半导体公司变更事项:地址变更前权利人:美国伊利诺斯州变更后权利人:美国得克萨斯州登记生效日:20041224
2006-12-06	授权	授权
2004-08-11	公开	公开
2020-04-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20020424 授权公告日:20061206 终止日期:20190424

共 50 条

[1]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

赵南奎 ;

洪承秀 ;

成金重 ;

李承勳 ;

李正允 .

中国专利 :CN110277453A ,2019-09-24

[2]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

赵南奎 ;

洪承秀 ;

成金重 ;

李承勳 ;

李正允 .

韩国专利 :CN110277453B ,2024-07-12

[3]

形成半导体装置的方法和半导体装置 [P].

魏正禹 ;

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN121057241A ,2025-12-02

[4]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

黄郁翔 ;

刘致为 .

中国专利 :CN115527936A ,2022-12-27

[5]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

李俊鲁 .

中国专利 :CN111081713A ,2020-04-28

[6]

半导体装置和形成半导体装置的方法 [P].

李俊鲁 .

韩国专利 :CN111081713B ,2025-02-21

[7]

形成半导体装置的方法 [P].

W－J·齐 ;

J·G·培勒因 ;

W·G·恩 ;

M·W·迈克尔 ;

D·A·陈 .

中国专利 :CN100367470C ,2005-04-13

[8]

半导体芯片和包括半导体芯片的半导体装置 [P].

金江旻 ;

宋承砇 ;

殷东锡 ;

郑锡和 .

中国专利 :CN114388522A ,2022-04-22

[9]

形成半导体装置的方法和半导体封装 [P].

陈又豪 ;

张丰愿 ;

黄博祥 ;

林璟伊 ;

李志纯 .

中国专利 :CN115440693A ,2022-12-06

[10]

半导体装置和用于形成半导体装置的方法 [P].

J·鲍姆加特尔 ;

C·格鲁贝尔 ;

A·豪格霍费尔 ;

R·K·乔希 ;

M·普埃尔兹 ;

J·施泰因布伦纳 .

中国专利 :CN106328709A ,2017-01-11

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